A3280 时间：2025/7/30 7:21:59 阅读：38

A3280 是一款由日本东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET，主要用于高功率开关应用，例如电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等场景。该器件采用先进的沟槽式MOSFET结构，能够在高电流下保持良好的导通性能，并具备较低的导通电阻。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：100A（最大）
　　漏极-源极电压（VDS）：30V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约2.8mΩ（典型值）
　　功耗（PD）：200W
　　封装形式：TO-247
　　工作温度范围：-55°C至150°C

特性

A3280具有低导通电阻，可显著降低导通损耗，提高电源转换效率。其采用的沟槽技术使器件在高电流条件下依然能保持稳定的工作状态，适用于高功率密度的设计。此外，A3280具备较高的热稳定性和耐久性，可以在高负载环境下长时间运行而不发生性能衰减。该MOSFET的封装形式为TO-247，便于安装和散热，适用于各种工业级和汽车级应用。
　　A3280还具有良好的栅极驱动特性，允许在较宽的栅极电压范围内工作，同时具备快速开关能力，有助于减少开关损耗。其短路耐受能力和过热保护特性使其在复杂工况下仍能保持可靠性。此外，该器件在制造过程中遵循严格的工业标准，确保了其在不同工作条件下的稳定性和一致性。

应用

A3280广泛应用于多种高功率电子系统中，例如大功率开关电源（SMPS）、电动车辆的电池管理系统（BMS）、电机驱动器、直流电动工具、不间断电源（UPS）系统以及工业自动化设备中的负载控制电路。由于其低导通电阻和高电流处理能力，它也非常适合用于高效率DC-DC转换器和同步整流电路。此外，A3280还可用于LED照明驱动、太阳能逆变器和储能系统等新能源相关设备中。