LTL42NKFKNN是一款由罗姆(ROHM)公司生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用了先进的沟槽栅极技术,提供了较低的导通电阻和较高的电流处理能力,适用于DC-DC转换器、电源管理和电池供电设备等场景。
类型:N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds):40V
漏极-源极导通电阻(Rds(on)):18mΩ(典型值)
最大连续漏极电流(Id):15A
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-252(DPAK)
LTL42NKFKNN具备低导通电阻,可以有效降低导通损耗,提高系统效率。此外,该器件的热稳定性良好,能够在高温环境下稳定工作,确保长时间运行的可靠性。其采用的TO-252封装形式具有良好的散热性能,适用于需要高功率密度的设计。LTL42NKFKNN还具有快速开关特性,适用于高频开关应用,从而减小外部元件的尺寸并提高整体系统效率。
LTL42NKFKNN广泛应用于各类电源管理系统,包括DC-DC转换器、负载开关、电池充电电路以及电机控制电路。它也常用于工业自动化设备、消费类电子产品和汽车电子系统中,提供高效的功率控制解决方案。
Si444NADY-T1-GE3, FDS4410AS