时间：2025/7/30 2:26:02
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A3260ELHLT是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电流和高电压应用场景。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高开关速度，广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及负载开关等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：60V
漏极电流(ID)：120A
导通电阻(RDS(on))：1.75mΩ（最大值，VGS=10V）
栅极电压(VGS)：±20V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：HLDIL-Hybrid Dual In-Line Package
安装类型：通孔（Through Hole）
A3260ELHLT具有多个关键特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该MOSFET采用先进的沟槽结构，优化了电流传输能力，支持高达120A的连续漏极电流，适用于高负载场景。此外，该器件的栅极氧化层设计具有高耐用性，能够承受高达±20V的栅极电压，增强了器件的稳定性和可靠性。
在封装方面，A3260ELHLT采用HLDIL混合双列直插封装，具有良好的热管理和电气性能，适用于工业级应用。其工作温度范围为-55°C至150°C，能够在严苛的环境条件下稳定运行。该器件还具备快速开关能力，减少了开关损耗，提高了整体系统性能。综合这些特性，A3260ELHLT是一款高性能功率MOSFET，适用于多种高功率电子系统。
A3260ELHLT广泛应用于需要高电流和高电压处理能力的电子系统中。常见的应用包括电源管理系统、电动工具、电动车（EV）和混合动力车（HEV）的电控系统、工业电机控制、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、负载开关电路以及高功率音频放大器等。由于其优异的导通特性和热管理性能，该MOSFET特别适合用于需要长时间高负载运行的工业设备和汽车电子系统。
SiHF120N60E、IRFP120N60A、FDP120N60、TK120A60W、IXFH120N60Q
