A3245EUA是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)。这种MOSFET设计用于高性能功率转换应用,具有低导通电阻、高效率和优异的热性能。A3245EUA封装在TSOP(薄型小外形封装)中,使其适用于需要紧凑设计和高效能的电子设备。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏极电流(ID):5.5A
漏极-源极击穿电压(VDS):30V
栅极-源极电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):22mΩ @ VGS=10V
功率耗散(PD):1.4W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
A3245EUA MOSFET的主要特性之一是其低导通电阻,这有助于减少功率损耗并提高整体效率。该器件能够在高频率下工作,适用于开关电源、DC-DC转换器和负载开关等应用。此外,A3245EUA的封装设计提供了良好的散热性能,使其在高电流条件下仍能保持稳定运行。
另一个关键特性是其高栅极击穿电压能力,使得该MOSFET在恶劣的工作环境下具有更高的可靠性和稳定性。其TSOP封装形式也适合自动化装配,提高了制造过程中的效率和一致性。此外,A3245EUA具有良好的热阻特性,确保在高负载条件下的热管理能力。
由于其优异的电气性能和紧凑的封装,A3245EUA非常适合用于便携式设备、笔记本电脑、服务器电源管理、电池供电系统以及各种功率管理应用。其高效率和低损耗特性也使其成为高性能电源转换系统中的理想选择。
A3245EUA MOSFET广泛应用于多个领域,包括电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关以及电机控制电路。它在笔记本电脑、平板电脑、服务器、通信设备和工业控制系统中都有重要应用。该器件也常用于高效率开关电源(SMPS)和电池管理系统,以提高整体系统效率并延长电池寿命。
Si2302DS, FDS6675, IRF7404, BSS138K