A2C00060284TR 时间：2025/7/22 8:46:24 阅读：7

A2C00060284TR 是由 STMicroelectronics 生产的一款电子元器件，属于功率场效应晶体管（Power MOSFET）类别。该器件广泛用于需要高效能、高可靠性的电源管理系统，例如在工业自动化、汽车电子、消费类电子产品以及嵌入式系统中。A2C00060284TR 采用先进的半导体制造技术，具有低导通电阻、高开关速度和高耐压能力，适用于多种高频和高功率应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：60A
　　最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：13mΩ @ Vgs=10V
　　导通阈值电压：2.0V~4.0V
　　功耗：160W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-220
　　安装类型：通孔安装

特性

A2C00060284TR MOSFET 器件具备一系列出色的电气和热性能。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为13mΩ，在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高系统效率。其次，该器件的最大漏极电流可达60A，适用于高功率负载应用。此外，漏源电压额定值为60V，允许其在较宽的电压范围内稳定工作。
　　该MOSFET具备高耐压能力，栅源电压可承受±20V，这在高频开关应用中尤为重要，能够有效防止因电压尖峰造成的损坏。同时，导通阈值电压范围为2.0V至4.0V，使其能够兼容多种驱动电路设计，包括微控制器或专用驱动IC。
　　A2C00060284TR 的封装形式为TO-220，具备良好的散热性能，确保在高功耗应用中仍能维持稳定工作温度。其功耗额定值为160W，适用于持续高功率输出的场合。此外，该器件支持-55°C至+175°C的宽温度范围，适用于极端环境下的应用，例如汽车电子和工业控制系统。
　　该MOSFET还具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高电源转换效率。这些特性使其非常适合用于DC-DC转换器、电机控制、负载开关、电源管理和电池管理系统等应用场合。

应用

A2C00060284TR 广泛应用于多个领域。在工业自动化中，该器件用于电机驱动、电源供应和自动化控制系统的功率开关。在汽车电子方面，该MOSFET可用于电池管理系统（BMS）、电动助力转向系统（EPS）以及车载充电器（OBC）等关键部件。
　　在消费类电子产品中，A2C00060284TR 常用于高性能电源管理模块，例如笔记本电脑、台式机电源、UPS（不间断电源）以及智能家电等。此外，在嵌入式系统中，该器件可作为高效率的DC-DC转换器核心元件，提供稳定的电压转换功能。
　　由于其高可靠性和优异的热性能，该MOSFET还被广泛应用于LED照明系统、太阳能逆变器、工业电源模块以及储能系统中，以实现高效的能量转换和管理。