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A2C00060284TR 发布时间 时间:2025/7/22 8:46:24 查看 阅读:5

A2C00060284TR 是由 STMicroelectronics 生产的一款电子元器件,属于功率场效应晶体管(Power MOSFET)类别。该器件广泛用于需要高效能、高可靠性的电源管理系统,例如在工业自动化、汽车电子、消费类电子产品以及嵌入式系统中。A2C00060284TR 采用先进的半导体制造技术,具有低导通电阻、高开关速度和高耐压能力,适用于多种高频和高功率应用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流:60A
  最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  导通电阻(Rds(on)):13mΩ @ Vgs=10V
  导通阈值电压:2.0V~4.0V
  功耗:160W
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C
  封装类型:TO-220
  安装类型:通孔安装

特性

A2C00060284TR MOSFET 器件具备一系列出色的电气和热性能。首先,其低导通电阻(Rds(on))为13mΩ,在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗,从而提高系统效率。其次,该器件的最大漏极电流可达60A,适用于高功率负载应用。此外,漏源电压额定值为60V,允许其在较宽的电压范围内稳定工作。
  该MOSFET具备高耐压能力,栅源电压可承受±20V,这在高频开关应用中尤为重要,能够有效防止因电压尖峰造成的损坏。同时,导通阈值电压范围为2.0V至4.0V,使其能够兼容多种驱动电路设计,包括微控制器或专用驱动IC。
  A2C00060284TR 的封装形式为TO-220,具备良好的散热性能,确保在高功耗应用中仍能维持稳定工作温度。其功耗额定值为160W,适用于持续高功率输出的场合。此外,该器件支持-55°C至+175°C的宽温度范围,适用于极端环境下的应用,例如汽车电子和工业控制系统。
  该MOSFET还具备快速开关特性,有助于减少开关损耗,提高电源转换效率。这些特性使其非常适合用于DC-DC转换器、电机控制、负载开关、电源管理和电池管理系统等应用场合。

应用

A2C00060284TR 广泛应用于多个领域。在工业自动化中,该器件用于电机驱动、电源供应和自动化控制系统的功率开关。在汽车电子方面,该MOSFET可用于电池管理系统(BMS)、电动助力转向系统(EPS)以及车载充电器(OBC)等关键部件。
  在消费类电子产品中,A2C00060284TR 常用于高性能电源管理模块,例如笔记本电脑、台式机电源、UPS(不间断电源)以及智能家电等。此外,在嵌入式系统中,该器件可作为高效率的DC-DC转换器核心元件,提供稳定的电压转换功能。
  由于其高可靠性和优异的热性能,该MOSFET还被广泛应用于LED照明系统、太阳能逆变器、工业电源模块以及储能系统中,以实现高效的能量转换和管理。

替代型号

STP60NF06, IRFZ44N, FDP6030L, FQP60N06

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