A263N 时间：2025/9/16 7:56:20 阅读：17

A263N 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率晶体管，属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的一种。该器件主要用于高功率应用，例如电源管理、电机控制和音频放大器等。A263N 具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性，适用于需要高可靠性和高性能的电子设备。其封装形式通常为TO-220或TO-252，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：15A
　　漏极-源极电压（VDS）：60V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.045Ω（最大值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220

特性

A263N MOSFET具备多个优异的电气特性，使其在高功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流条件下仍能保持较低的功耗和发热，提高整体系统效率。其次，A263N 的高漏极-源极电压（60V）使其适用于多种中高功率应用场景，包括DC-DC转换器、马达驱动器和负载开关。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在较高温度环境下稳定运行，增强了系统的可靠性和耐久性。
　　在封装方面，A263N 采用TO-220或类似的大功率封装形式，具备良好的散热性能，便于在PCB上安装和使用。同时，该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），能够兼容多种驱动电路设计，提高了设计的灵活性。此外，A263N 的响应速度快，适合高频开关应用，有助于减小外围元件的尺寸并提高系统的整体性能。
　　总体而言，A263N 是一款性能稳定、可靠性高的功率MOSFET，适用于多种需要高效率和高可靠性的电子系统。

应用

A263N 常用于以下类型的电子设备和系统中：
　　1. **电源管理**：如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电池充电器，用于高效地控制和调节电流。
　　2. **电机控制**：用于H桥驱动电路中，控制直流电机的正反转和速度调节。
　　3. **音频放大器**：在高保真音频系统中作为输出级的功率开关元件，提升音质表现。
　　4. **负载开关**：用于控制高功率负载的开启与关闭，如LED照明、加热元件和风扇等。
　　5. **工业自动化**：在PLC（可编程逻辑控制器）和其他工业控制设备中作为功率开关使用，提高系统响应速度和稳定性。