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IRF5305STRLPBF 发布时间 时间:2025/4/29 16:30:27 查看 阅读:17

IRF5305STRLPBF 是一款 N 没道沟道功率场效应晶体管(MOSFET),由 Vishay 公司生产。该器件采用 TO-263-3 封装形式,适合用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及负载开关等应用。其低导通电阻和高效率的特点使其成为高性能功率转换的理想选择。
  该器件具有出色的热性能和电气特性,能够承受较高的电流负载,并在高频开关条件下表现出较低的功耗。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:32A
  导通电阻:极电荷:85nC
  输入电容:1700pF
  开关时间:开启 56ns/ 关闭 28ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-263-3

特性

IRF5305STRLPBF 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 较小的封装尺寸,便于 PCB 布局和设计优化。
  3. 支持高达 175℃ 的结温,能够在高温环境下稳定运行。
  4. 快速的开关速度,减少开关损耗,适用于高频应用。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
  6. 内置防静电保护功能,增强器件的鲁棒性。

应用

IRF5305STRLPBF 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC 转换器,如降压或升压电路。
  3. 电机驱动电路,用于控制直流无刷电机或其他类型的电机。
  4. 电池管理系统(BMS),用作负载开关或保护开关。
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  6. LED 驱动器和其他需要高效功率转换的应用场景。

替代型号

IRF5305TRPBF, IRF5305STRPBF

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IRF5305STRLPBF参数

  • 标准包装800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C31A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C60 毫欧 @ 16A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs63nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1200pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.8W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF5305STRLPBF-NDIRF5305STRLPBFTR