A2415D-2W是一款由台湾安森电子(UTC)生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力,适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等应用。其封装形式为TO-252(DPAK),便于散热和安装。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):150V
连续漏极电流(ID):20A
导通电阻(RDS(ON)):80mΩ(典型值)
栅极阈值电压(VGS(th)):2V~4V
功耗(PD):100W
工作温度范围:-55°C~150°C
封装:TO-252(DPAK)
A2415D-2W具有较低的导通电阻,有助于减少导通损耗并提高系统效率。其高耐压能力(150V)使其适用于中高功率应用。该MOSFET具备良好的热稳定性和可靠性,能够在高温环境下稳定工作。此外,该器件具有快速开关特性,适用于高频开关应用。TO-252封装提供了良好的散热性能,便于在PCB上安装和散热设计。其栅极驱动电压范围较宽,兼容多种驱动电路设计。
A2415D-2W常用于各类功率电子设备中,如开关电源(SMPS)、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统、电机驱动电路、工业自动化控制系统、负载开关和电源管理模块。由于其高可靠性和良好的性能,也适用于车载电子系统和工业控制设备中的功率开关应用。
IRF1404、SiHH20N150D、FDP150N15A