标称齐纳电压：5.1V
　　最大齐纳电流：200mA
　　最大耗散功率：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +175°C
　　封装类型：SOD23/SOT23
　　齐纳电压容差：±2%
　　动态电阻（Zzt）：约 10Ω
　　漏电流（IR）：在VR=1V时最大为100nA

BZX55B5V1-AY 齐纳二极管具有多项优良的电气和物理特性，适用于多种电子电路设计。
　　首先，其标称齐纳电压为5.1V，允许在反向击穿状态下提供稳定的电压输出，适用于电源稳压、参考电压源和电压限制等应用。该器件的齐纳电压容差为±2%，意味着其实际击穿电压与标称值之间的偏差较小，提高了电路的精度和稳定性。
　　其次，BZX55B5V1-AY 的最大齐纳电流为200mA，能够在一定的负载变化范围内维持稳定的电压输出，适用于中等功率的稳压应用。其最大耗散功率为300mW，在SOD23封装中属于较高水平，确保了在小封装体积下仍能承受一定的功率损耗。
　　此外，该齐纳二极管的工作温度范围为-55°C 至 +150°C，具有良好的热稳定性，适用于工业级和汽车电子等对温度适应性要求较高的应用环境。其存储温度范围更宽，达到-65°C 至 +175°C，适合在严苛环境中使用。
　　从封装角度来看，BZX55B5V1-AY 采用SOD23（SOT23）封装，具有较小的体积和良好的焊接性能，便于在高密度PCB布局中使用。该封装还具有良好的热传导性能，有助于热量的及时散发，提高器件的可靠性和寿命。
　　电气特性方面，BZX55B5V1-AY 的动态电阻（Zzt）约为10Ω，意味着在负载变化时其电压波动较小，能够提供较为稳定的输出电压。在反向漏电流方面，当VR=1V时最大漏电流为100nA，表明其在未击穿状态下具有良好的阻断能力，减少不必要的功耗。

BZX55B5V1-AY 齐纳二极管广泛应用于各种电子系统中，主要用于提供稳定的参考电压、电源稳压和电压限制保护等功能。
　　在电源管理电路中，该器件可用于构建简单的并联稳压电路，将输入电压稳定在5.1V左右，适用于低功耗、中等精度要求的稳压应用，如传感器供电、模拟电路参考电压源等。
　　在信号调理电路中，BZX55B5V1-AY 可作为电压钳位器件，防止输入信号超过系统允许的最大电压，从而保护后续电路免受损坏。例如，在ADC输入保护、运算放大器偏置电压限制等场景中，该齐纳二极管可以有效防止过压损坏。
　　在嵌入式系统和微控制器应用中，BZX55B5V1-AY 可用于提供稳定的参考电压，供ADC或比较器使用，确保测量结果的准确性。由于其±2%的电压容差，使得其在中等精度测量系统中表现出色。
　　此外，该器件也常用于电池供电设备中的电压监测电路，例如在锂电池充电管理或低电压检测电路中，作为电压基准或阈值设定元件。
　　在汽车电子、工业控制和消费类电子产品中，BZX55B5V1-AY 齐纳二极管因其良好的温度稳定性和封装小型化优势，成为众多设计工程师的首选器件之一。

BZX84C5V1, L78L05, LM385-1.2, LM4040C25, TL431