晶体管类型：NPN型
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：150mA
　　最大功耗（PD）：200mW
　　最大工作频率（fT）：250MHz
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：5V
　　最大工作温度：150°C
　　封装类型：SOT-23

A2002WV-2P 晶体管具有多项优异的电气特性，适用于高频应用。其高频特性使其在射频（RF）放大器和高速开关电路中表现出色。该晶体管的电流增益（hFE）在不同工作条件下具有良好的稳定性，确保了电路的可靠性。此外，A2002WV-2P 的封装设计紧凑，适合在空间受限的电路板中使用。
　　该器件的集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）较低，有助于降低功耗并提高效率。其快速的开关特性也使其成为数字电路和脉冲电路的理想选择。A2002WV-2P 的热阻较低，能够在较高温度下稳定工作，提高了器件的耐用性。
　　此外，该晶体管具有良好的噪声性能，适用于低噪声放大器设计。其高频增益带宽积（fT）为250MHz，确保了在高频段的稳定放大能力。

A2002WV-2P 晶体管广泛应用于各种电子设备和电路中。其主要应用包括高频放大器、射频（RF）电路、高速开关电路、数字逻辑电路以及低噪声放大器。该器件也常用于通信设备、无线模块、音频放大器和传感器接口电路。
　　在射频应用中，A2002WV-2P 可用于前置放大器和混频器电路，提供高效的信号放大。在数字电路中，该晶体管可用于高速开关和缓冲器设计，提高电路的响应速度。此外，由于其低噪声特性，A2002WV-2P 也适用于高精度的模拟信号处理电路。

2N3904, BC547, PN2222A