A1268BL 时间：2025/9/11 16:29:32 阅读：15

A1268BL 是一款由东芝（Toshiba）制造的 N 沟道功率 MOSFET，常用于电源管理和功率放大电路中。该器件采用高密度单元设计，具备较低的导通电阻和较高的效率，适用于多种中高功率应用场景。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：15A
　　最大漏源电压（VDS）：250V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(ON)）：约 0.22Ω（典型值）
　　功率耗散（PD）：30W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220

特性

A1268BL 具备出色的导通性能和较低的导通损耗，使其在电源转换和功率控制电路中表现优异。其低导通电阻（RDS(ON)）可减少能量损耗并提高整体效率。该 MOSFET 设计采用了先进的单元结构，确保了高可靠性和稳定的电气性能。此外，该器件具备较高的最大漏极电流能力，能够承受较大的负载需求，适用于需要高效能的电源管理系统。A1268BL 的 TO-220 封装形式提供了良好的散热性能，使其能够在较高功率环境下稳定运行。
　　A1268BL 还具有较高的栅极抗干扰能力，可以在复杂电磁环境中保持稳定的工作状态。其栅源电压范围较宽，允许在多种驱动条件下正常工作。同时，该器件具备良好的热稳定性和过载保护能力，能够在短时过载或高温条件下维持基本功能，从而延长使用寿命。这种设计使其成为一种理想的功率开关元件，适用于多种电子设备的电源部分。