供电电压：3.0V至24V
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　输出类型：N沟道MOSFET开漏输出
　　最大输出电流：20mA
　　响应时间：典型值为3μs
　　磁灵敏度：BOP（操作点）为35G，BRP（释放点）为25G
　　封装类型：SOT-23W

A1171EEHLT-T是一款基于霍尔效应的磁敏传感器，能够在广泛的电压范围内稳定工作。其主要特性包括高灵敏度、低功耗设计、快速响应时间和宽温度范围适应能力。
　　该芯片内置一个N沟道MOSFET作为输出开关，能够直接驱动负载或连接到微控制器进行信号处理。芯片的输出状态会根据外部磁场强度的变化而切换，当磁场强度超过设定的操作点（BOP）时，输出导通；当磁场减弱到释放点（BRP）以下时，输出关闭。
　　此外，A1171EEHLT-T采用了先进的斩波稳定技术，确保了在各种环境条件下的稳定性和可靠性。这种技术可以有效抑制温度漂移和机械应力引起的误差，从而提高传感器的长期稳定性。
　　芯片的封装形式为SOT-23W，体积小巧，适合在空间受限的应用中使用。同时，其宽广的供电电压范围（3.0V至24V）使得该器件可以灵活应用于不同的电源系统中。

A1171EEHLT-T广泛应用于各种需要磁场检测的场合，例如无接触开关、位置检测、速度测量和电机控制等。
　　在工业自动化领域，该芯片可以用于检测机械设备的运动状态，如门的开闭、阀门的位置检测等。
　　在消费类电子产品中，A1171EEHLT-T可用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的翻盖检测或配件识别功能。
　　此外，该芯片还可用于电动工具、自行车码表和健身器材中的转速测量和运动检测。

A1120EELT-T, US5881L-05-A, MLX92241-DSH-DCM