A115P4CWZB0Q 是一款由安森美(onsemi)生产的功率MOSFET芯片,采用先进的制程技术制造。该器件属于N沟道增强型MOSFET,适用于高频开关应用和高效能功率转换电路中。其优化的栅极电荷和导通电阻使其在各种工业、汽车和消费类电子设备中具有出色的性能表现。
该芯片设计用于降低功耗并提高效率,同时支持较高的电流负载能力。通过改进的封装技术和内部结构设计,A115P4CWZB0Q 能够提供低热阻和高可靠性,非常适合需要长时间稳定运行的应用场景。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:80A
导通电阻:2.5mΩ
栅极电荷:70nC
总电容:1250pF
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
封装形式:TO-247-3L
A115P4CWZB0Q 的主要特点是其低导通电阻,这有助于减少传导损耗,并提升整体系统效率。此外,该器件还具备以下显著优点:
1. 高开关速度:由于较低的栅极电荷和优化的内部结构,此MOSFET可以实现快速切换,从而降低开关损耗。
2. 强大的散热性能:采用大功率封装,确保了良好的热传导性能,使芯片能够在高电流条件下长期稳定运行。
3. 可靠性高:经过严格的测试流程,确保在极端温度和恶劣环境下的耐用性。
4. 宽广的工作温度范围:从-55℃到175℃的宽温区使得该芯片适用于各种严苛条件下的应用。
5. 符合RoHS标准:材料选择符合环保要求,适合绿色电子产品设计。
A115P4CWZB0Q 广泛应用于各类功率转换和电机驱动场景中,包括但不限于以下领域:
1. DC-DC转换器:用于笔记本电脑适配器、服务器电源等高效率电源解决方案。
2. 开关模式电源(SMPS):作为主开关元件,在家用电器、工业设备的开关电源中发挥重要作用。
3. 电动车辆(EV/HEV):用作电池管理系统中的功率控制单元或逆变器模块的一部分。
4. 工业自动化:例如伺服驱动器、机器人控制和其他高性能运动控制系统。
5. LED照明驱动:为大功率LED灯串提供高效的电流调节功能。
A115P4CWZA0Q
A115P4CWZC0Q
A115P4CWZD0Q