型号：A04TG
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：4.1A（@25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：16A
　　导通电阻（Rds(on)）：18mΩ（@Vgs=10V）
　　导通电阻（Rds(on)）：23mΩ（@Vgs=4.5V）
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容（Ciss）：450pF（@Vds=15V）
　　输出电容（Coss）：190pF（@Vds=15V）
　　反向传输电容（Crss）：50pF（@Vds=15V）
　　栅极电荷（Qg）：10nC（@Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：1W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

A04TG的核心优势在于其卓越的导通性能和低开关损耗，这得益于其采用的先进沟槽栅极制造工艺。该工艺不仅提升了载流子迁移率，还有效降低了单位面积的导通电阻，使得器件在大电流负载下仍能保持较低的温升，从而提高系统的整体可靠性和寿命。其低Rds(on)特性特别适用于电池供电设备中的电源开关和负载管理，能够显著减少能量损耗，延长电池续航时间。此外，A04TG的栅极电荷（Qg）非常低，意味着驱动电路所需的能量更少，有利于简化驱动设计并降低控制器的负担，尤其适合与PWM控制器或逻辑门直接接口。
　　该器件具备良好的热稳定性，其最大工作结温可达150°C，并内置一定的热保护能力，能够在瞬态过载或高温环境下维持稳定运行。同时，由于其小型SOT-23封装，A04TG非常适合用于高密度PCB布局，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网终端等对空间极为敏感的应用场景。尽管封装小巧，但其引脚设计和内部结构经过优化，具备较好的散热路径，能够在有限的空间内实现高效的热量传导。
　　A04TG还具有较强的抗干扰能力和稳定的电气特性，在不同工作条件下参数漂移较小，确保了系统长期运行的一致性。其栅源电压额定值高达±20V，提供了足够的安全裕度，防止因电压尖峰或误操作导致的器件损坏。此外，该MOSFET的阈值电压范围适中，既能保证在低电压逻辑信号下可靠导通，又避免了因噪声引起的误触发问题。这些综合特性使其成为现代高效、紧凑型电源系统中的理想选择。

A04TG广泛应用于各类需要高效、小型化功率开关的电子设备中。典型应用场景包括便携式消费电子产品中的电池电源管理模块，例如智能手机和平板电脑中的负载开关或背光驱动电路，利用其低导通电阻和小封装优势，实现高效的电能控制与空间节省。在DC-DC转换器中，A04TG常被用作同步整流开关或高端/低端开关元件，尤其是在降压（Buck）转换器中，其快速开关特性和低栅极电荷有助于提升转换效率并降低电磁干扰（EMI）。
　　在工业控制系统中，A04TG可用于驱动继电器、LED指示灯或小型电机的控制电路，作为低侧开关使用，凭借其高可靠性和宽温度适应性，能够在恶劣环境中稳定运行。此外，在通信设备如路由器、网络交换机的电源模块中，A04TG也常用于多路电源的分配与切换，确保各功能模块按需供电，提升系统能效。
　　由于其兼容3.3V或5V逻辑电平的能力，A04TG也可直接由微控制器（MCU）或FPGA的GPIO引脚驱动，无需额外的电平转换或驱动芯片，简化了电路设计并降低了成本。因此，它在嵌入式系统、智能家居设备、传感器节点和USB供电设备中也有广泛应用。总之，凡是需要小型、高效、可靠的功率开关的地方，A04TG都是一个极具竞争力的解决方案。

AO4404
　　Si2302DDS
　　FDS6670A
　　DMG2302UK