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A-SL686W1D-J02-2T 发布时间 时间:2025/4/29 17:43:05 查看 阅读:1

A-SL686W1D-J02-2T 是一款高性能的贴片式功率MOSFET,采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。该器件适用于各种需要高效能和高可靠性的电力电子应用,例如DC-DC转换器、开关电源、电机驱动和电池保护电路等。其封装形式为SOP-8,有助于提升散热性能并节省PCB空间。
  该型号的特点是针对高频开关应用进行了优化,能够在较宽的工作电压范围内保持高效的电能转换效率。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:20A
  导通电阻:3mΩ
  栅极电荷:5nC
  开关频率:1MHz
  结温范围:-55℃至+150℃
  封装形式:SOP-8

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低传导损耗。
  2. 高速开关性能,支持高达1MHz的工作频率,适合高频应用。
  3. 出色的热稳定性设计,能够承受较高的结温范围。
  4. SOP-8封装提供了良好的电气特性和机械可靠性。
  5. 内置ESD保护功能,提高了产品的抗静电能力。
  6. 符合RoHS标准,绿色环保。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(Switching Power Supply)中作为主开关管。
  2. DC-DC转换器中的同步整流管或降压/升压控制器。
  3. 电动工具、家用电器和工业设备中的电机驱动电路。
  4. 各类电池保护电路以及负载开关控制。
  5. 可用于光伏逆变器和其他能源管理系统中的功率管理单元。
  6. 汽车电子系统中的辅助电源模块和车身控制系统。
  A-SL686W1D-J02-2T 的高效性能使其成为这些应用的理想选择。

替代型号

A-SL686W1D-J01-2T, IRFZ44N, FDP5570

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