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IXGX50N60AU1 发布时间 时间:2025/8/6 8:23:03 查看 阅读:26

IXGX50N60AU1是一款由Littelfuse(原IXYS Corporation)制造的高功率IGBT(绝缘栅双极型晶体管),广泛应用于需要高效能功率转换的工业和电力电子系统中。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗特性和双极型晶体管的低导通压降特性,非常适合用于逆变器、电机驱动、UPS系统、焊接设备以及其他高功率应用。IXGX50N60AU1采用TO-247封装,具备良好的热性能和电气性能。

参数

集电极-发射极击穿电压:600V
  额定集电极电流:50A
  栅极-发射极电压范围:±20V
  导通压降:约2.1V @ IC=50A
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  热阻(结到壳):约0.9°C/W
  封装形式:TO-247

特性

IXGX50N60AU1具有高耐压和大电流能力,能够在600V电压下稳定运行,并支持高达50A的连续集电极电流。其导通压降较低,有助于减少导通损耗,提高系统效率。此外,该器件具备良好的短路耐受能力,适合用于对可靠性和稳定性要求较高的工业环境。
  该IGBT采用TO-247封装,具有良好的散热性能,能够有效管理工作时的热量。封装形式也便于安装在散热片上,从而进一步提升热管理能力。
  栅极驱动电压范围为±20V,使其能够兼容多种常见的IGBT驱动电路,提高了设计的灵活性。同时,该器件的开关特性较为优异,能够实现快速开通和关断,从而降低开关损耗,适用于高频开关应用。
  IXGX50N60AU1的工作温度范围为-55°C至+150°C,表明其具有较强的环境适应能力,适用于恶劣工业环境和高温运行条件。其热阻(结到壳)约为0.9°C/W,表明其热传导效率较高,有助于延长器件的使用寿命。
  该IGBT还具有良好的抗电磁干扰(EMI)能力,并可通过适当的驱动电路设计来优化其性能,确保在复杂电磁环境中稳定工作。

应用

IXGX50N60AU1适用于多种高功率电子系统,包括但不限于工业电机驱动、变频器、不间断电源(UPS)、电焊机、感应加热系统、电动汽车充电设备以及太阳能逆变器等。其高耐压和大电流能力使其成为许多高功率转换系统中的核心组件。此外,该器件的优异开关性能也使其适用于需要快速响应和高效率的功率控制应用。

替代型号

IXGH50N60C3D1, IXGH50N60B4D1, FGA50N60UD, FGH50N60SMD

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IXGX50N60AU1参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列HiPerFAST™
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.7V @ 15V,50A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)75A
  • 功率 - 最大300W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-3P-3 整包
  • 供应商设备封装TO-247
  • 包装管件
  • 其它名称Q1168121