型号：9NM65-VS
　　制造商：ON Semiconductor (ONSEMI)
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：650 V
　　最大连续漏极电流（ID）：9 A（@TC=25°C）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：36 A
　　最大栅源电压（VGS）：±30 V
　　导通电阻RDS(on)：典型值0.58 Ω，最大值0.7 Ω（@VGS=10V, ID=4.5A）
　　栅极电荷（Qg）：典型值53 nC（@VGS=10V）
　　输入电容（Ciss）：典型值1100 pF（@VDS=50V）
　　反向恢复时间（trr）：典型值47 ns
　　最大功耗（PD）：125 W（TC=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220

9NM65-VS采用了安森美的SuperFET?平面栅极工艺技术，这项技术结合了电荷平衡原理，在不牺牲击穿电压的前提下显著降低了RDS(on)与Qg之间的乘积（FOM），从而实现了更高的能效和更快的开关速度。该器件的关键优势之一是其低导通电阻，在650V等级MOSFET中表现出色，有助于减少导通损耗，提高系统整体效率。同时，其相对较低的栅极电荷意味着驱动电路所需的能量更少，进一步提升了轻载条件下的效率表现。
　　该MOSFET具有良好的热稳定性和长期可靠性，能够在高温环境下持续运行而不会发生性能退化。其内部结构经过优化，减少了寄生参数的影响，提高了抗雪崩能力和抗短路能力，增强了在异常工况下的鲁棒性。此外，9NM65-VS具备较快的体二极管反向恢复特性，虽然不如专门的快速恢复二极管，但在硬开关拓扑中仍可接受，尤其适合用于反激式转换器中的主开关。
　　器件的封装采用标准TO-220形式，引脚兼容性强，便于替换其他同封装MOSFET，也利于手工焊接和自动化生产。其金属背板设计支持高效散热，可通过绝缘垫片或直接接触散热器将热量迅速导出，有效控制结温上升。综合来看，9NM65-VS在性能、成本和可靠性之间取得了良好平衡，特别适用于需要高耐压、中等电流输出的电源设计。对于追求高效率、小体积和低成本解决方案的设计工程师而言，该器件是一个理想选择。

9NM65-VS广泛应用于各类中低功率开关电源系统中，尤其适用于需要高电压隔离和高效能转换的场合。常见应用包括离线式反激变换器，如手机充电器、笔记本适配器、智能家居控制电源模块等。在这些应用中，它通常作为初级侧的主开关管使用，负责将整流后的高压直流电进行高频斩波，实现能量传递到次级侧。此外，该器件也被用于LED恒流驱动电源中，特别是在非隔离升降压或SEPIC拓扑结构中，提供稳定的高压输入处理能力。
　　在工业领域，9NM65-VS可用于小型逆变器、UPS不间断电源、电机驱动控制板的辅助电源部分，以及PLC控制器内部的DC-DC转换模块。其高耐压特性使其能够直接连接到未经PFC校正的整流母线上，简化电路设计并降低成本。在新能源应用方面，该器件还可用于光伏微逆变器或太阳能路灯控制器中，作为DC-AC逆变桥臂的一部分或前级升压开关元件。
　　由于其具备较强的抗干扰能力和温度稳定性，9NM65-VS也可用于恶劣电磁环境下的电力设备中，例如电表、智能断路器、远程监控终端等。总之，凡涉及650V以下高压直流开关操作的应用场景，9NM65-VS均具备较强的适用性与竞争力。

FCH65N60NF,FQP9N65C,STF9NM65FD,IPD9R0N65CF}}