时间：2025/7/9 13:40:33
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GRT155R61A225KE01D是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的半导体制造工艺，适用于多种高效率、高频率的电力电子应用。该器件具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能，能够有效降低系统功耗并提升整体效率。
该芯片专为要求高可靠性和高效能的场景设计，广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器等领域。其封装形式和电气特性使其成为现代电子设备的理想选择。
类型：N沟道增强型MOSFET
耐压(Vds)：60V
漏极电流(Id)：225A
导通电阻(Rds(on))：1.0mΩ
栅极电荷(Qg)：75nC
最大工作结温：175℃
封装形式：TO-247
GRT155R61A225KE01D具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），显著减少导通损耗，提高整体系统效率。
2. 快速的开关速度，支持高频应用，减少开关损耗。
3. 高额定电流能力，满足大功率应用场景的需求。
4. 优异的热性能，确保在高温环境下的稳定运行。
5. 紧凑的封装设计，节省PCB空间，便于系统集成。
6. 符合RoHS标准，绿色环保，适合长期使用。
7. 内置ESD保护电路，增强器件的抗静电能力，提高可靠性。
GRT155R61A225KE01D适用于以下领域：
1. 电动工具和工业设备中的电机驱动。
2. 开关电源(SMPS)及不间断电源(UPS)。
3. DC-DC转换器和降压/升压电路。
4. 太阳能逆变器和储能系统。
5. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的电池管理系统(BMS)。
6. 高效照明系统，如LED驱动电路。
7. 各类负载切换和保护电路。
GRT155R61A225KE02D, GRT155R61A225KE03D
