时间：2025/12/27 9:09:34
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9N80-FC是一款由UTC（友顺科技）推出的N沟道增强型高压MOSFET功率晶体管，采用先进的高压工艺制造，专为高效率开关电源应用设计。该器件封装在TO-220F形式的塑料封装中，具有良好的散热性能和电气隔离能力，适用于需要安全绝缘的电源系统。9N80-FC的额定电压为800V，能够承受较高的漏源击穿电压，在待机功耗要求严苛或输入电压波动较大的环境中表现出色。其主要目标市场包括各类消费类电子产品中的AC-DC转换器、适配器、充电器、LED照明电源以及工业控制设备中的开关电源模块。得益于其高耐压特性与较低的导通电阻，9N80-FC能够在高频工作条件下实现较高的能量转换效率，并有效降低温升，提升系统整体可靠性。此外，该器件具备优良的雪崩能量承受能力，增强了在异常工作状态下的鲁棒性，减少了因电压瞬变导致损坏的风险。由于其广泛的应用兼容性和稳定的性能表现，9N80-FC成为许多中小功率开关电源设计中的主流选择之一。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：800V
最大栅源电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）@25℃：9A
脉冲漏极电流（Idm）：36A
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：典型值1.2Ω，最大值1.4Ω
阈值电压（Vgs(th)）@Id=250μA：最小值2.0V，最大值4.0V
输入电容（Ciss）@Vds=25V, f=1MHz：约1100pF
输出电容（Coss）@Vds=25V, f=1MHz：约350pF
反向恢复时间（trr）：典型值45ns
最大功耗（Pd）@25℃：125W
工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-220F（带绝缘片安装孔）
9N80-FC采用了高性能的高压MOSFET制造工艺，具备出色的电气特性和热稳定性，特别适合用于离线式开关电源拓扑结构中。其高达800V的漏源击穿电压使其能够直接应用于全球通用输入电压范围（85VAC至265VAC）的整流后母线电压环境，无需额外的电压钳位保护电路即可应对常见的电网浪涌情况。该器件在导通状态下拥有较低的Rds(on)，典型值仅为1.2Ω，这显著降低了导通损耗，提高了电源系统的整体效率，尤其在轻载和满载工况下均能保持良好表现。同时，低导通电阻也有助于减少发热，允许在不使用大型散热器的情况下实现紧凑化设计。
该MOSFET具有快速的开关响应能力，输入和输出电容较小，配合较短的反向恢复时间（trr约为45ns），可有效降低开关过程中的交叠损耗，适用于工作频率在几十kHz到上百kHz之间的PWM控制器驱动场景。其栅极电荷量适中，驱动功率需求不高，可与大多数常用的电流模式或电压模式控制器良好匹配，简化了驱动电路的设计复杂度。此外，器件具备较强的抗雪崩能力，能够在突发短路或负载突变时吸收一定的感应能量而不发生永久性损坏，提升了整个电源系统的安全等级。
TO-220F封装不仅提供了良好的机械强度，还通过底部绝缘设计实现了电气隔离，便于安装在接地的散热片上而无需额外加装云母垫片或硅胶绝缘垫，既提高了散热效率又节省了装配成本。这种封装形式也便于手工焊接和自动化生产，广泛应用于各种中小功率电源产品中。综合来看，9N80-FC以其高耐压、低损耗、强可靠性和易用性等特点，在消费电子、工业电源和LED驱动领域获得了广泛应用。
9N80-FC广泛应用于多种类型的开关电源系统中，特别是在需要高电压输入适应能力和高效能量转换的场合。典型应用包括手机充电器、笔记本电脑适配器、LCD显示器电源模块、家用电器内置电源板、网络通信设备电源单元等。它常被用作反激式（Flyback）拓扑结构中的主开关器件，配合UC3842、UC3845、OB2263等常见PWM控制器完成交流到直流的电压转换任务。在LED恒流驱动电源中，该器件可用于隔离式降压或反激恒流电路，实现对LED灯串的稳定供电。此外，在小型UPS不间断电源、辅助电源（Auxiliary Power Supply）、电机控制驱动电路及工业传感器供电模块中也能见到其身影。得益于其高耐压特性，9N80-FC也可用于一些高压直流母线系统的开关控制，例如太阳能逆变器前端或高压电池管理系统中的预充电路。其优异的热性能和长期运行稳定性使其适用于对产品寿命和安全性要求较高的工业级应用场景。
FQP9N80C,FQA9N80,STF9NM80,2SK2976
