9D5N20P 时间：2025/12/28 15:09:27 阅读：7

9D5N20P 是一款高压功率MOSFET，通常用于需要高效能和高稳定性的电源管理系统中。这种MOSFET具有低导通电阻、高开关速度以及良好的热稳定性，适用于多种工业和消费类电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：200V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：5A（在25°C）
　　功耗（Pd）：30W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-220

特性

9D5N20P MOSFET具有多个显著特性，包括低导通电阻（Rds(on)），这使得在导通状态下的功率损耗最小化，从而提高了整体效率。该器件的高开关速度使其非常适合高频应用，减少了开关损耗并提高了响应速度。此外，该MOSFET的封装设计提供了良好的散热性能，确保在高电流负载下仍能保持稳定运行。
　　这款MOSFET还具备良好的过热保护性能，在高温条件下能够自动降低电流以防止器件损坏。同时，它具有较强的抗静电能力，能够在制造和使用过程中有效抵抗静电放电带来的损害。其稳定的栅极驱动特性使得控制电路设计更加简单，并提高了整体系统的可靠性。
　　9D5N20P在设计上采用了先进的平面工艺和高密度单元布局，从而在保证高性能的同时实现了较小的芯片尺寸，进一步提升了器件的性价比。这使得它在多种电源转换和管理应用中成为理想的选择。