9435AC 是一款广泛应用于电源管理和功率控制领域的低电压 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它由 Vishay Semiconductors 公司生产,适用于需要高效能、小封装和低导通电阻的应用场合。该器件采用先进的沟槽技术,提供了卓越的导通性能和热稳定性,适合用于电池供电设备、负载开关、DC-DC 转换器、电机控制和电源管理系统。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压(VDS):30V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):4.6A(在 25°C)
功耗(Ptot):1.4W
导通电阻(RDS(on)):23mΩ(最大值,VGS=4.5V)
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装形式:TSOP(表面贴装)
引脚数:8
9435AC MOSFET 的主要特性之一是其极低的导通电阻(RDS(on)),这有助于减少导通状态下的功率损耗并提高系统效率。其 23mΩ 的 RDS(on) 值在 VGS=4.5V 时表现优异,非常适合用于高效率的开关电源应用。
此外,该器件支持高达 4.6A 的连续漏极电流,在小尺寸封装下提供了较高的电流承载能力,使其成为空间受限应用的理想选择。其 30V 的漏源击穿电压也适用于多种低压电源系统,包括电池管理系统和 DC-DC 转换器。
9435AC 采用 TSOP 封装,尺寸小巧,便于在便携式电子产品、笔记本电脑、智能手机和平板电脑中使用。该封装形式还支持表面贴装技术(SMT),提高了生产效率和可靠性。
该器件具有良好的热稳定性,能够在 -55°C 至 150°C 的宽温度范围内稳定工作,适用于各种工业和消费类应用。其 ±20V 的栅极电压耐受能力也提高了在高频开关应用中的可靠性。
综合来看,9435AC 是一款性能优异、封装紧凑的 N 沟道 MOSFET,适用于多种电源管理与功率控制应用。
9435AC 广泛应用于各类电源管理系统和功率控制电路中。其典型应用场景包括电池供电设备中的负载开关、DC-DC 转换器、电机驱动电路、电源管理单元(PMU)以及便携式电子设备中的功率调节模块。
由于其低导通电阻和高电流承载能力,9435AC 常被用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等设备的电源管理电路中,用于高效能的功率切换与调节。
在工业控制领域,该器件可用于小型电机驱动、继电器替代电路以及智能电表中的电源开关模块。其优异的热稳定性和宽工作温度范围也使其适用于户外和工业环境中的电源控制应用。
此外,9435AC 还可用于 LED 照明系统的调光控制、充电管理电路以及各类低电压功率放大电路中,满足多样化的电子系统设计需求。
Si2302DS, IRML2802, FDMS3610, BSS138K