90N20 时间：2025/12/26 20:50:17 阅读：11

90N20是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高电压和大电流处理能力的功率电子电路中。该器件采用先进的平面条纹式硅栅极技术制造，具有低导通电阻、高可靠性以及优良的热稳定性等优点。其名称中的“90”通常表示其最大漏极电流约为90A，“20”则代表其漏源击穿电压为200V，因此该器件适用于中高功率级别的应用场合。90N20一般封装在TO-247或类似的高功率塑封封装中，具备良好的散热性能，能够有效降低工作温度，提高系统整体可靠性。该MOSFET通过栅极电压控制漏极与源极之间的导通与关断，驱动方式简单，适合高频开关操作。由于其优异的电气性能和坚固的结构设计，90N20常被用于工业控制设备、电源适配器、逆变器以及各类电力电子变换装置中。此外，该器件还具备一定的抗雪崩能力和过载承受能力，在实际应用中表现出较强的鲁棒性。为了充分发挥其性能，建议在使用时配合合适的栅极驱动电路，并采取必要的保护措施如过压钳位、过流保护和散热管理。

参数

型号：90N20
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：200V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：90A @ 25℃
　　脉冲漏极电流（Idm）：360A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤0.035Ω @ Vgs = 10V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：约5000pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：约1200pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值120ns
　　最大功耗（Pd）：约300W @ 25℃
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-247

特性

90N20 MOSFET具备多项优异的电气与热力学特性，使其在中高功率开关应用中表现突出。首先，其高达200V的漏源击穿电压使其能够稳定工作于多种高压环境，例如工业电源系统或电动车充电模块中常见的直流母线电压等级。同时，90A的额定连续漏极电流意味着该器件可在大电流负载下长期运行，适用于电机驱动或大功率DC-DC变换器等场景。该器件的低导通电阻（Rds(on) ≤ 35mΩ）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效，尤其在高频开关条件下有助于减少发热，提升能量转换效率。得益于先进的硅栅极制造工艺，90N20具有稳定的开关特性，输入电容和输出电容参数经过优化，使得其在高速开关过程中具备较低的驱动损耗和较快的响应速度。此外，其反向恢复时间较短（典型值120ns），有助于减小体二极管在续流过程中的反向恢复电荷，从而降低电磁干扰（EMI）并避免因反向恢复引起的额外功耗。器件的栅极阈值电压在2.0V至4.0V之间，兼容多数标准逻辑电平驱动信号，便于与PWM控制器或隔离驱动芯片直接接口。TO-247封装不仅提供了良好的电气绝缘性能，还具备出色的散热能力，可通过外接散热器进一步增强热管理效果。该器件的工作结温范围宽达-55℃至+150℃，适应严苛的工业环境，具备较强的环境适应性和长期运行稳定性。此外，90N20还具备一定的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或感性负载突变时提供一定程度的自我保护，增强了系统安全性。综合来看，90N20在高压、大电流、高频率应用场景中展现出卓越的性能平衡，是功率电子设计中的理想选择之一。
　　

应用

90N20 MOSFET广泛应用于多种高功率电子系统中，尤其适合需要高效开关和大电流承载能力的场合。常见应用包括开关模式电源（SMPS），如服务器电源、通信电源和工业电源模块，其中该器件作为主开关管用于升压、降压或半桥/全桥拓扑结构中，实现高效的能量转换。在DC-DC转换器中，90N20可用于高电流输出的同步整流或主开关级，利用其低导通电阻降低损耗，提升转换效率。在电机控制系统中，如直流无刷电机驱动器或步进电机驱动电源中，该器件可作为H桥电路中的功率开关元件，实现对电机正反转及调速的精确控制。此外，在逆变器系统中，如太阳能逆变器、UPS不间断电源或车载逆变器中，90N20可用于将直流电转换为交流电的过程，承担主要的功率切换任务。由于其具备较高的耐压能力和电流容量，也适用于电焊机、感应加热设备和激光电源等工业设备中的功率调节模块。在电动汽车相关应用中，该器件可能用于车载充电机（OBC）或辅助电源系统中。另外，在高功率LED驱动电源中，90N20可用于恒流控制回路中的开关元件，确保照明系统的稳定运行。其TO-247封装形式便于安装散热器，适用于长时间连续工作的工业级设备。总之，凡是涉及高压、大电流、高频率开关操作的电力电子系统，90N20都是一种可靠且高效的解决方案。
　　