时间：2025/12/27 8:35:06
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8NM60A是一款由UTC（友顺科技）生产的N沟道增强型高压功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高效率和高耐压能力的电子设备中。该器件采用先进的平面栅极工艺制造，具有低导通电阻、高击穿电压以及优良的开关特性等优点，适用于高频开关环境下的功率控制应用。其名称中的“8N”表示该系列为8A额定电流的N沟道MOSFET，“60”代表其漏源击穿电压为600V，而“A”可能代表特定的版本或封装形式优化。8NM60A常用于AC-DC适配器、LED照明电源、绿色能源系统如太阳能逆变器等领域。由于其具备良好的热稳定性和可靠性，在工业级温度范围内（-55°C至150°C）均能稳定工作，因此受到电源设计工程师的青睐。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适应现代电子产品对环保和安全性的要求。
型号：8NM60A
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：600V
最大连续漏极电流（ID）：8A
最大脉冲漏极电流（IDM）：32A
最大栅源电压（VGS）：±30V
最大功耗（PD）：125W
导通电阻RDS(on)：典型值0.75Ω（@VGS=10V, ID=4A）
阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
输入电容（Ciss）：典型值1100pF（@VDS=25V）
输出电容（Coss）：典型值350pF（@VDS=25V）
反向恢复时间（trr）：典型值45ns
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220F / TO-220FP
8NM60A具备优异的电气性能和热稳定性，能够在高电压环境下实现高效能的功率切换操作。
其核心优势之一是高达600V的漏源击穿电压，使其非常适合用于离线式开关电源设计，能够直接连接整流后的市电电压而不易发生击穿故障，从而提升了系统的安全性与可靠性。同时，该器件在VGS=10V时的典型导通电阻仅为0.75Ω，这有助于降低导通损耗，提高整体电源转换效率，尤其在中等负载条件下表现突出。较低的RDS(on)也意味着在相同电流下产生的热量更少，有利于简化散热设计并延长产品寿命。
该MOSFET还具备良好的动态特性，包括适中的输入和输出电容值（Ciss≈1100pF，Coss≈350pF），这使得它在高频开关应用中具有较快的开关速度和较小的驱动功率需求。其反向恢复时间trr约为45ns，配合快速体二极管，可在桥式电路或续流路径中有效减少开关过程中的能量损耗和电压尖峰，避免因换流引起的电磁干扰问题。
在栅极驱动方面，8NM60A支持最高±30V的栅源电压，提供了足够的驱动裕量，兼容常见的PWM控制器输出电平。其阈值电压范围为2.0V~4.0V，确保了器件在启动阶段能够可靠开启，同时防止误触发导致的异常导通。此外，该器件采用TO-220F或TO-220FP封装，具有良好的热传导性能，可通过外接散热片将内部热量迅速散发到环境中，保障长时间运行下的稳定性。
综合来看，8NM60A不仅在电气参数上表现出色，还在成本控制、封装通用性和制造良率方面具备优势，适合大批量生产使用。其符合RoHS指令要求，支持无铅回流焊工艺，满足现代电子产品对环保法规的合规性需求。
主要用于开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、LED恒流驱动电源、DC-DC转换器、电机控制电路、逆变器电源、绿色能源系统（如太阳能微型逆变器）、家用电器电源模块以及工业控制设备中的功率开关单元。
FQP8N60C, KSE8N60U, STP8NK60ZFP, 2SK3562
