类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（Vds）：900V
　　漏源导通电阻（Rds(on)）：典型值8Ω（在Vgs=10V时）
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：典型值4.5A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：约18A
　　最大功耗（Pd）：约125W（Tc=25℃）
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
　　输入电容（Ciss）：典型值约650pF
　　输出电容（Coss）：典型值约150pF
　　反向恢复时间（trr）：不适用（非体二极管主导应用）
　　开启延迟时间（td(on)）：约25ns
　　关断延迟时间（td(off)）：约70ns

8N90L的核心优势在于其高电压耐受能力与相对较低的导通损耗之间的良好折衷，使其在900V级别的高压应用中表现优异。该器件采用平面栅极结构，确保了稳定的制造工艺和较高的器件一致性。其900V的漏源击穿电压足以满足全球范围内通用输入电压（85VAC~265VAC）下的峰值电压要求，并留有充足的安全裕量，避免因线路瞬变或雷击浪涌导致器件失效。器件的典型Rds(on)为8Ω，在同类高压MOSFET中属于中等水平，虽然不如一些新型超结MOSFET那样低，但在成本敏感型应用中仍具备竞争力。
　　此外，8N90L具有较低的栅极电荷（Qg），这直接降低了驱动电路的能量消耗，使得器件能够在高频开关环境下运行而不会显著增加驱动损耗。这对于提高开关电源的整体效率至关重要。同时，较低的输入电容（Ciss）也减少了开通瞬间的电流冲击，有助于简化栅极驱动设计。该器件的跨导（Transconductance）较高，意味着在给定栅极电压下能提供更强的电流控制能力，从而加快开关速度并减少开关过渡时间。
　　热性能方面，8N90L封装于TO-220等标准功率封装中，可通过外接散热片有效传导热量，确保长时间高负载运行下的可靠性。其最大功耗可达125W（在壳温25℃条件下），结温范围覆盖-55℃至+150℃，适用于严苛的工业环境。器件还具备较强的抗雪崩能力，符合MIL-STD-750标准中的相关测试要求，能够在意外过压或感性负载突变时吸收一定的能量而不发生永久性损坏，提升了系统的鲁棒性。此外，该器件的体二极管具有较软的反向恢复特性，减少了关断时的电压尖峰和电磁干扰（EMI），有利于EMC设计。

8N90L主要应用于需要高电压隔离和高效能量转换的电力电子系统中。典型应用场景包括通用输入范围的AC-DC开关电源，如电视、显示器、打印机等消费类电子设备的内置电源适配器。在这些应用中，8N90L常作为反激式变换器的主开关管，负责将整流后的高压直流电通过变压器进行能量传递和电压变换。由于其900V的耐压能力，即使在输入电压瞬态升高至350V以上时，也能保持安全可靠的工作状态。
　　此外，该器件也适用于LED照明驱动电源，尤其是在大功率户外LED路灯或工业照明系统中，对效率和可靠性要求较高的场合。在这些系统中，8N90L可作为初级侧开关元件，配合控制器实现恒流输出和调光功能。在工业自动化领域，8N90L可用于小型电机驱动电路、继电器驱动模块或DC-DC升压/降压转换器中，特别是在输入电压波动较大的环境中表现出良好的适应性。
　　其他潜在应用还包括太阳能微逆变器、不间断电源（UPS）、电池充电器以及各类工业电源模块。由于其具备良好的抗干扰能力和温度稳定性，8N90L也可用于恶劣电磁环境或高温工作条件下的嵌入式控制系统中。总之，凡是需要在高压、中等功率条件下实现快速开关和高效率转换的场景，8N90L都是一个成熟且可靠的解决方案选择。

STP9NK90ZFP, FQP9N90, 2SK3562, SIHP9N90D