类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：800V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：8A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：32A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值1.2Ω（VGS=10V，ID=4A）
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：约1100pF（VDS=25V，VGS=0V，f=1MHz）
　　输出电容（Coss）：约260pF
　　反向恢复时间（trr）：未集成体二极管或快速恢复型
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220/TO-220F

8N80L的核心特性之一是其高达800V的漏源击穿电压，使其能够承受高压环境下的长时间运行，特别适用于AC-DC转换器中整流后的母线电压应用。这一耐压能力确保了在市电波动或瞬态浪涌情况下器件仍能保持安全工作区间，避免因过压击穿而导致系统失效。同时，该器件在正常工作条件下的导通电阻较低，典型值约为1.2Ω，在ID=4A且VGS=10V时表现出较小的导通损耗，有助于提升电源系统的整体效率。低RDS(on)不仅减少了发热，也降低了对散热器尺寸的要求，有利于实现紧凑型电源设计。
　　另一个显著特点是其良好的热性能表现。得益于TO-220封装良好的热传导路径，8N80L可通过外接散热片将芯片结温有效传递至外部环境，确保长时间高负载运行下的温度可控。其最大结温可达150°C，并具备较高的热稳定性，即使在恶劣环境温度下也能维持稳定的电气性能。此外，该MOSFET的栅极阈值电压范围设定在2.0V至4.0V之间，属于标准逻辑兼容水平，可直接由常见的PWM控制器驱动，无需额外的电平转换电路，简化了驱动设计并降低成本。
　　动态特性方面，8N80L具有适中的输入和输出电容参数，Ciss约为1100pF，Coss约为260pF，这使得其在高频开关应用中既能保证较快的开关速度，又不会因寄生电容过大而产生过多的驱动功耗。尽管其开关速度受限于平面工艺，但在典型60~100kHz的开关频率范围内仍能保持优异性能。此外，器件具备一定的抗雪崩能量承受能力，能够在非重复性电压过冲事件中提供保护，提高系统鲁棒性。最后，该器件通过了多项国际安规认证，符合RoHS环保要求，适用于出口型电子产品和绿色能源设备。

8N80L主要应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其是在交流转直流（AC-DC）电源适配器、手机充电器、笔记本电脑电源、LED驱动电源以及小型逆变器中扮演关键角色。由于其具备800V的高耐压能力，非常适合用于离线式反激变换器（Flyback Converter）的主开关管，能够在整流滤波后的300V~400V直流母线上安全地进行高频开关操作。在这些应用中，8N80L负责周期性地接通和关断变压器初级侧电流，实现能量的传输与调节，配合PWM控制器完成稳压输出功能。
　　此外，该器件也被广泛用于工业控制领域的电机驱动电路中，作为低端开关或H桥结构的一部分，控制直流电机或步进电机的启停与方向切换。在家电产品如空调、洗衣机、微波炉的电源模块中，8N80L常被用作辅助电源的开关元件，为控制系统供电。由于其封装形式为TO-220，易于安装在PCB上并通过螺丝固定散热器，因此在需要一定功率密度但又不追求极致小型化的设备中尤为受欢迎。
　　在太阳能微型逆变器、智能电表电源模块以及UPS不间断电源等新兴领域，8N80L也展现出良好的适应性。其稳定的电气特性和较长的使用寿命使其成为许多工程师在成本与性能之间权衡后的优选方案。此外，在一些LED恒流驱动方案中，它可作为开关调节器的核心元件，通过脉宽调制方式精确控制输出电流，保障LED光源的亮度稳定与寿命延长。总体而言，8N80L凭借其高耐压、适中电流能力与成熟的技术平台，在多种电力电子拓扑结构中均具备实用价值。

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　　 "STP8NK80Z",
　　 "FQP8N80",
　　 "KSE880",
　　 "2SK2542",
　　 "IRF8N80"
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