FDS2572 是一款高性能的 N 沃特(N-Channel)MOSFET,采用先进的制造工艺以实现低导通电阻和快速开关性能。这款元器件主要适用于需要高效能功率转换、负载切换和其他电力电子应用的场景。
该芯片设计注重降低功耗并提高效率,因此非常适合便携式设备、计算机外设以及消费类电子产品中的电源管理应用。此外,它还具有良好的热稳定性和抗静电能力,能够确保在复杂环境下的可靠运行。
类型:N-Channel MOSFET
漏源电压(Vdss):30V
连续漏极电流(Id):8.4A
栅极电荷(Qg):19nC
导通电阻(Rds(on)):30mΩ
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-252 (DPAK)
FDS2572 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少导通损耗,从而提高整体效率。
2. 快速开关能力,这得益于其较低的栅极电荷(Qg),适合高频开关应用。
3. 高度集成的设计使其能够在紧凑的空间内提供强大的电流处理能力。
4. 出色的热稳定性保证了即使在高温环境下也能保持稳定的性能表现。
5. 强大的抗静电能力(ESD Protection),提升了产品在实际使用中的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
FDS2572 广泛应用于各种需要高效功率转换和负载控制的场合,具体包括:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和功率因数校正(PFC)。
2. DC-DC 转换器和降压/升压电路中的开关元件。
3. 各种电机驱动应用,例如小型直流电机控制。
4. 计算机及外围设备的负载开关和保护电路。
5. 消费类电子产品中的电池充电管理模块。
6. LED 照明系统的驱动电路中用作功率开关。
FDP5580
IRF7404
AO3400