型号：8N80L-TF2-T
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：800V
　　最大漏极电流（ID）：8A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：32A
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　阈值电压（VGS(th)）：4.0V ~ 6.0V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值1.8Ω（@VGS=10V, ID=4A）
　　输入电容（Ciss）：约1100pF（@VDS=25V）
　　输出电容（Coss）：约280pF（@VDS=25V）
　　反向恢复时间（trr）：约75ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220F

8N80L-TF2-T采用先进的高压平面工艺制造，具备出色的电气性能与热稳定性，能够在高达800V的漏源电压下安全运行，满足多种离线式电源系统的绝缘与耐压要求。其阈值电压范围适中，在4.0V到6.0V之间，确保了与标准逻辑电平驱动电路的良好兼容性，同时避免因噪声干扰导致误触发。该器件的导通电阻在VGS=10V时典型值为1.8Ω，这在同级别800V MOSFET中属于较低水平，有助于减少导通期间的能量损耗，提高电源系统的整体效率。此外，其低栅极电荷（Qg）设计显著降低了驱动电路所需的功率，使控制器能够以更高的频率驱动该MOSFET而不会造成明显的驱动损耗，特别适用于工作频率在几十kHz至数百kHz之间的反激或正激拓扑结构。
　　该器件的输入电容和输出电容较小，分别为约1100pF和280pF，这不仅有利于减小开关过程中的充电与放电能量，还提升了器件在高频环境下的响应速度。其反向恢复时间约为75ns，表明体二极管具有较快的恢复特性，可有效降低与之配对使用的副边整流管或同步整流管在换流过程中产生的尖峰电压，从而改善EMI表现并提升系统可靠性。8N80L-TF2-T还具备良好的雪崩能量承受能力，经过严格测试验证，能在单次或重复雪崩事件中维持结构完整性，增强了在异常工况如过载、短路或输入电压突升情况下的耐受力。
　　封装方面，TO-220F形式提供了优良的机械强度与散热路径，外部金属片可直接安装于散热器上，实现高效的热量传导。该封装符合RoHS环保标准，并通过了相关安规认证，适用于工业、消费类及照明等多种应用场景。此外，器件内部结构优化减少了寄生参数的影响，提高了抗dv/dt和di/dt的能力，进一步增强了系统运行的稳定性。总体而言，8N80L-TF2-T以其高耐压、低损耗、高可靠性和成熟封装技术，成为众多中高端电源产品中不可或缺的关键元器件。

8N80L-TF2-T广泛应用于各类需要高电压开关能力的电力电子设备中，典型使用场景包括AC-DC开关模式电源（SMPS），尤其是在反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑结构中作为主开关管。它常见于适配器、充电器、开放式开关电源模块以及工业控制电源单元中，支持从几十瓦到数百瓦的功率等级。此外，该器件也适用于LED恒流驱动电源，特别是在非隔离和隔离型LED照明方案中，能够有效应对宽输入电压波动并保持高效稳定的输出。在离线式变换器设计中，8N80L-TF2-T凭借其800V耐压能力可以直接连接整流后的市电母线电压，无需额外的降压预处理电路，简化了系统架构。该MOSFET还可用于待机电源（Standby Power Supply）、辅助电源（Auxiliary Rail）以及电池充电管理系统中的功率切换环节。由于其具备良好的瞬态响应能力和热稳定性，也被选用于工业自动化设备、医疗电源、通信电源等对可靠性要求较高的领域。在一些小型逆变器或UPS系统中，该器件也可作为DC-DC升压级的开关元件使用。总之，凡是涉及高电压、中等电流、高效率开关操作的应用，8N80L-TF2-T均展现出优异的适用性和性能优势。

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　　 "8N80C",
　　 "STP8NK80Z",
　　 "FQP8N80",
　　 "KSE880",
　　 "2SK2973"
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