类型：N沟道
　　最大漏极电流（ID）：8A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：650V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值0.75Ω（VGS=10V）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220、TO-251、TO-252等

8N65/CJPF08N65 MOSFET具有多个优异的电气特性。首先，其高耐压能力使其适用于高压电源系统，能够承受高达650V的漏极-源极电压，确保在各种电源环境下稳定运行。
　　其次，该器件的导通电阻较低，典型值为0.75Ω，这有助于减少导通损耗，提高系统效率。同时，其栅极电荷量较小，使得开关速度更快，从而降低了开关损耗，特别适用于高频应用。
　　此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，工作温度范围广，从-55°C到+150°C，适应多种复杂的工作环境。其封装形式多样，包括TO-220、TO-251和TO-252等，方便在不同电路设计中灵活使用。
　　该器件还具备良好的抗雪崩能力和过载能力，能够在瞬态过压或过流情况下保持稳定工作，提高系统的可靠性。栅极驱动电压范围较宽，允许使用标准驱动电路，简化了外围电路设计。
　　总体而言，8N65/CJPF08N65是一款性能优异的功率MOSFET，适用于多种中高功率电源应用，具备高效、可靠和易用的特点。

8N65/CJPF08N65广泛用于各类功率电子设备中，包括AC-DC电源适配器、电池充电器、LED驱动电源、小型逆变器、DC-DC转换器、电机驱动电路以及各种开关电源模块。由于其高耐压和低导通电阻的特性，非常适合用于需要高效能和高稳定性的应用场合。

FQP8N65C、IRF840、STP8NM65MD8、SIHF8N65D