时间：2025/8/16 13:04:03
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8N60/CJP08N60 是一款常用的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电路、DC-DC转换器、电机控制等领域。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适合用于中高功率的开关应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
栅源电压（Vgs）：±30V
漏极电流（Id）：8A（连续）
导通电阻（Rds(on)）：≤0.85Ω @ Vgs=10V
功率耗散（Pd）：50W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
8N60/CJP08N60 MOSFET具备良好的导通性能和较高的击穿电压，使其在各种功率转换系统中表现出色。其低导通电阻可有效降低功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的热稳定性，可在高温环境下稳定工作。该MOSFET还具备较快的开关速度，适用于高频开关应用，如开关电源（SMPS）、逆变器、LED驱动器和电机控制模块。其坚固的封装结构（如TO-220）有助于提高散热能力，延长器件使用寿命。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，通常在10V左右即可实现良好的导通状态，兼容常见的驱动IC。此外，8N60/CJP08N60在短路和过载情况下仍能保持较高的可靠性，具备一定的过载承受能力，适用于工业控制和消费类电子产品中的关键功率控制环节。
该MOSFET常用于开关电源（SMPS）、LED驱动电源、DC-DC转换器、电池充电器、电机驱动电路、UPS不间断电源、家电控制板、工业自动化设备以及各种功率开关应用。由于其良好的电气性能和可靠性，8N60/CJP08N60也广泛用于需要高效率和高稳定性的电力电子系统中。
8N60C, 8N60CP, FQP8N60C, IRF840, 9N60C
