类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500 V
　　栅源电压（Vgs）：±30 V
　　连续漏极电流（Id @ 25°C）：7.5 A
　　脉冲漏极电流（Idm）：30 A
　　导通电阻（Rds(on) @ Vgs = 10V）：1.2 Ω 最大值
　　导通电阻（Rds(on) @ Vgs = 5V）：1.5 Ω 最大值
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0 ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：600 pF 典型值
　　输出电容（Coss）：110 pF 典型值
　　反向恢复时间（trr）：48 ns 典型值
　　最大功耗（Ptot）：125 W
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装形式：D-Pak (TO-252AA)
　　极性：N沟道
　　雪崩能量额定值（EAS）：50 mJ

8N50-ML采用Vishay成熟的平面场效应晶体管工艺制造，具备出色的电气性能和热稳定性。其核心优势之一是低导通电阻（Rds(on)），在Vgs = 10V时最大仅为1.2Ω，有效降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的整体能效。这对于高负载持续工作的应用尤为重要，如工业电源和不间断电源（UPS）系统。同时，即使在较低的栅极驱动电压（如5V）下，其Rds(on)仍保持在1.5Ω以内，使其兼容逻辑电平信号驱动，增强了在微控制器或DSP控制的数字电源中的适用性。
　　该器件具有优异的开关特性，输入电容（Ciss）典型值为600pF，输出电容（Coss）为110pF，使得其在高频开关条件下仍能保持较低的开关损耗。配合较小的栅极电荷（Qg），可显著降低驱动电路的能量消耗，提高系统效率。此外，其反向恢复时间（trr）仅为48ns，表明体二极管具有较快的恢复速度，有助于减少在桥式拓扑或同步整流应用中产生的电压尖峰和电磁干扰（EMI）。
　　8N50-ML具备高漏源击穿电压（500V），可在高压环境中可靠运行，适用于离线式开关电源设计，特别是用于主开关管或PFC升压开关。其最大连续漏极电流可达7.5A（在25°C下），脉冲电流能力高达30A，展现出强大的瞬态负载承受能力。器件的最大功耗为125W，结合D-Pak封装良好的散热性能，可在合理布局的PCB上实现有效的热管理。
　　此外，该MOSFET具有较高的雪崩能量耐受能力（EAS = 50mJ），意味着其在遭遇电压过冲或感性负载突变时具备一定的自我保护能力，提升了系统鲁棒性。工作结温范围宽达-55°C至+150°C，确保其在极端环境温度下仍能稳定工作，适用于工业级和严苛环境应用。所有这些特性共同使8N50-ML成为高性能、高可靠性电源设计的理想选择。

8N50-ML广泛应用于各类需要高效、高压开关能力的电力电子系统中。常见用途包括AC-DC开关模式电源（SMPS），特别是在台式机、服务器和工业设备的电源单元中作为主开关或PFC升压开关使用。其500V的耐压能力和良好的动态特性使其非常适合用于通用输入电压范围（85VAC ~ 265VAC）的离线式电源设计。
　　在DC-DC转换器中，该器件可用于中等功率等级的降压（Buck）、升压（Boost）或半桥拓扑结构，尤其在连续导通模式（CCM）PFC电路中表现优异，能够有效提升功率因数并降低谐波失真。此外，它也被用于电信整流器、LED驱动电源和太阳能微型逆变器等新能源领域，满足对高能效和长寿命的要求。
　　在电机控制和驱动系统中，8N50-ML可作为低压直流电机或步进电机的开关元件，适用于家用电器如洗衣机、空调压缩机驱动模块。由于其具备较强的抗雪崩能力和稳定的热性能，也可用于工业自动化设备中的电源模块和执行机构驱动电路。
　　此外，该器件还可用于电子镇流器、电池充电器、焊接设备和医疗电源等对安全性和稳定性要求较高的场合。其表面贴装D-Pak封装便于自动化生产，支持回流焊工艺，适合大规模制造。总体而言，8N50-ML凭借其综合性能优势，在多种中高功率电源拓扑中发挥着关键作用。

STP8NK50ZFP
　　FQP8N50
　　IRF8N50
　　KSE8N50