型号：85HFR80
　　制造商：STMicroelectronics
　　器件类型：快速恢复整流二极管
　　封装类型：TO-247AC
　　最大重复反向电压 VRRM：800V
　　最大直流阻断电压 VR：800V
　　平均正向整流电流 IF(AV)：85A（在TC=100°C条件下）
　　峰值非重复浪涌电流 IFSM：1200A（单个半正弦波，t=8.3ms）
　　最大正向电压降 VF：1.65V（在IF=85A, TJ=125°C时）
　　最大反向漏电流 IR：1.0mA（在VR=800V, TJ=25°C时）
　　典型结电容 CT：约75pF
　　反向恢复时间 trr：约50ns（在IF=85A, di/dt=100A/μs, TJ=125°C条件下）
　　工作结温范围 TJ：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围 Tstg：-55°C 至 +175°C
　　热阻 Rth(j-c)：1.2 K/W（从结到外壳）

85HFR80的核心特性在于其卓越的快速恢复性能与高电流承载能力的结合。该二极管采用了先进的平面扩散工艺和载流子寿命控制技术，使其在高频开关条件下仍能保持较短的反向恢复时间（trr），通常在50ns左右，显著降低了开关过程中的能量损耗。这种快速恢复能力对于现代高频率开关电源尤为重要，尤其是在连续导通模式（CCM）或临界导通模式（CrM）的PFC电路中，能够有效减少二极管与MOSFET之间的交叉导通损耗，提升整体转换效率。
　　与此同时，85HFR80具备低正向导通压降（VF），在85A大电流下典型值仅为1.65V（TJ=125°C），这有助于降低导通损耗，减少发热，提高系统的热管理效率。低VF与快速trr的优化平衡是该器件的一大亮点，避免了传统快恢复二极管常见的“速度-压降”折衷问题。
　　该器件还具备出色的浪涌电流承受能力，可承受高达1200A的非重复峰值电流，适用于频繁启动或存在电网波动的应用场合。其坚固的TO-247AC封装不仅提供了良好的散热路径，还增强了机械强度和电气绝缘性能，适合高功率密度设计。
　　85HFR80的工作结温范围宽达-55°C至+175°C，表明其可在极端温度环境下稳定运行，适用于工业级和严苛环境应用。此外，器件具有低反向漏电流（典型1mA @ 800V, 25°C），有助于减少待机功耗和静态损耗。其结电容较小（约75pF），有利于减少高频下的容性损耗，进一步提升高频性能。
　　综合来看，85HFR80在效率、可靠性、热性能和鲁棒性方面均表现出色，是高性能电源系统中理想的整流解决方案。

85HFR80主要应用于各类高功率开关电源系统中，尤其适用于需要高效、高可靠性和高频率工作的场合。典型应用场景包括工业级AC-DC电源模块，其中该二极管常用于输出整流级或PFC升压二极管，承担大电流整流任务。在通信电源和服务器电源中，85HFR80凭借其低损耗和高效率特性，有助于满足80 PLUS铂金或钛金能效标准的要求。
　　在不间断电源（UPS）系统中，该器件可用于DC-DC变换器或逆变器的续流或整流路径，其高浪涌电流能力和快速恢复特性可有效应对负载突变和电网扰动，保障系统稳定运行。在太阳能逆变器和风能变流器等新能源设备中，85HFR80也常被用作直流母线侧的整流元件或辅助电源整流器，适应恶劣环境下的长期运行需求。
　　此外，该器件适用于感应加热、电焊机、激光电源等高功率工业设备中的高压整流电路。其宽温度工作范围和高结温能力使其在密闭或自然冷却的环境中仍能保持良好性能，减少了对额外散热措施的依赖。
　　在电机驱动系统中，85HFR80也可作为制动单元或再生能量回馈电路中的整流元件，处理来自电机的反向能量。由于其快速恢复特性，能够有效抑制反向恢复引起的电压尖峰，保护IGBT或其他开关器件。
　　总体而言，85HFR80凭借其高耐压、大电流、快恢复和高可靠性，广泛服务于工业自动化、能源转换、电信基础设施和高端消费电子等领域，是现代电力电子系统中不可或缺的关键元器件之一。

MUR8580CT
　　VS-F85PA80
　　IXYS IXYS85HFR80
　　ON Semiconductor MUR8580
　　Vishay VHY8580