类型：MOS FET继电器（无触点）
　　通道数：1路（单通道）
　　封装形式：SOP-4（表面贴装）
　　输入正向电流（IF）：20 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出导通电阻（RON）：典型值8 Ω，最大值12 Ω
　　输出漏电流（ILEAK）：最大1 μA（常温下）
　　负载电压（VLOAD）：最大60 V（DC/AC峰值）
　　连续负载电流（IO）：最大270 mA
　　开关时间（Ton/Toff）：典型值1 ms / 0.5 ms
　　隔离电压（Viso）：5000 Vrms（1分钟，AC）
　　工作温度范围：-20°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +125°C
　　输入-输出电容：典型值0.9 pF

G3VM-61DR的核心特性之一是其低导通电阻与高隔离性能的结合。该器件采用了先进的光控MOSFET技术，在输入侧使用高效红外LED，能够在较低的驱动电流（典型20mA）下实现稳定的光电转换。输出部分由两个串联的MOSFET构成，形成双向开关结构，这不仅允许其在交流和直流电路中灵活应用，还显著降低了单一MOSFET的电压应力，提高了器件的耐压能力和长期可靠性。由于没有机械磨损部件，G3VM-61DR的寿命远超传统电磁继电器，可承受数十亿次的开关操作而不会出现性能退化。此外，其极低的输出漏电流（最大1μA）使其非常适合用于精密测量系统或高阻抗信号路径中，避免对微弱信号造成干扰。
　　另一个关键特性是其出色的抗干扰能力。由于输入与输出之间通过光进行耦合，实现了完全的电气隔离，隔离电压高达5000Vrms，有效防止了高压瞬变或接地环路对控制电路的影响。这对于工业自动化、电源监控和医疗设备等对安全性要求极高的场合尤为重要。同时，该器件具有非常低的输入-输出寄生电容（典型0.9pF），大幅减少了高频信号串扰，适用于高速数据采集或多通道复用系统。
　　从封装角度来看，G3VM-61DR采用SOP-4小型化表面贴装封装，体积小巧，便于自动化贴片生产，提升了PCB布局的灵活性。其热阻特性良好，能够在较高环境温度下稳定工作（最高+85°C），且支持回流焊工艺，兼容现代SMT生产线。此外，该器件具备良好的抗冲击和振动性能，适用于车载电子、航空航天及移动设备等严苛环境。最后，G3VM-61DR无触点弹跳现象，开关过程平滑无火花，避免了电磁干扰（EMI）问题，有助于提高整个系统的电磁兼容性（EMC）表现。

G3VM-61DR广泛应用于多个高要求的电子系统领域。在工业自动化控制系统中，它常用于PLC（可编程逻辑控制器）模块中的信号切换、传感器接口隔离以及执行器驱动电路中，因其高可靠性和长寿命，特别适合频繁开关的工况。在测试与测量设备中，如自动测试仪（ATE）、数据采集系统和多路复用器，该继电器可用于精确地切换模拟信号路径，得益于其低导通电阻和极小的漏电流，能够保证信号完整性，减少测量误差。
　　在通信设备中，G3VM-61DR可用于线路切换、音频信号路由或远程配置控制，其快速响应时间和低噪声特性有助于提升通信质量。医疗电子设备也是其重要应用场景之一，例如病人监护仪、便携式诊断设备和实验室分析仪器，这些设备对电气安全和信号稳定性有极高要求，G3VM-61DR提供的高隔离电压和无电磁干扰特性正好满足这些需求。
　　此外，该器件还适用于电池管理系统（BMS）、智能电表、安防系统和消费类电子产品中的电源管理模块。在需要实现低压控制高压负载的小功率切换任务中，G3VM-61DR是一个理想选择。其表面贴装封装也使其成为便携式和微型化设备的首选元件，例如手持终端、无人机和物联网节点等。总之，凡是需要静音、长寿、高隔离度和小体积开关功能的场合，G3VM-61DR都能提供稳定可靠的解决方案。

G3VM-61DZ
　　TLP3545
　　AQY272S
　　G3VM-61GR
　　PS25605L