型号：85HFLR80S05
　　制造商：Vishay Semiconductor
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30 V
　　最大连续漏极电流（Id）：85 A（在TC=25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：3.6 mΩ（在Vgs=10V）
　　导通电阻（Rds(on)）：4.0 mΩ（在Vgs=4.5V）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.0 V ~ 2.0 V
　　栅极电荷（Qg）：45 nC（在Vgs=10V）
　　输入电容（Ciss）：2700 pF
　　输出电容（Coss）：1100 pF
　　反向恢复时间（trr）：28 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8L

85HFLR80S05采用Vishay成熟的TrenchFET技术，这种垂直沟道结构显著提升了单位面积下的载流能力，从而实现了极低的导通电阻。低Rds(on)意味着在大电流工作条件下能够有效减少I2R导通损耗，提高电源系统的转换效率。尤其在同步整流拓扑中，这种低损耗特性可以大幅降低发热，减少散热设计负担。
　　该器件具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），这使其在高频开关应用中表现优异。低Qg意味着驱动电路所需的能量更少，有助于降低控制器的驱动功耗；而低Qgd则能有效抑制开关过程中的振荡和误触发，提升系统稳定性。同时，较低的输入和输出电容进一步减小了开关切换时的能量损耗，使得该MOSFET非常适合用于工作频率高达数百kHz甚至MHz级别的DC-DC变换器。
　　PowerPAK SO-8L封装不仅体积小巧，还具备优良的热传导性能。底部带有裸露焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量快速传导至内层或底层，实现高效散热。这种封装方式在保持小型化的同时，显著提升了功率密度，特别适用于笔记本电脑、服务器电源模块、POL（Point-of-Load）转换器等对空间和效率双重要求的应用场景。
　　器件还具备良好的雪崩耐受能力和抗瞬态过压能力，增强了在实际应用中的鲁棒性。其栅氧化层经过严格工艺控制，确保在额定Vgs范围内长期可靠工作，避免因栅极击穿导致的早期失效。此外，该MOSFET支持逻辑电平驱动，在5V栅压下即可完全导通，兼容大多数PWM控制器的输出级，简化了驱动电路设计。

85HFLR80S05广泛应用于需要高效率和高功率密度的低压大电流开关电源系统。典型应用场景包括同步降压转换器中的上下管配置，尤其是在CPU供电、GPU供电及FPGA核心电压调节模块（VRM）中作为低边同步整流管使用。由于其低导通电阻和快速开关特性，能够在高频率下维持较低的温升，满足现代数字处理器对动态响应和能效的严苛要求。
　　在DC-DC电源模块中，该器件可用于隔离型或非隔离型拓扑结构的副边同步整流，替代传统肖特基二极管以提升效率。在电池管理系统（BMS）和便携式设备电源管理单元中，也可作为负载开关或热插拔控制开关，利用其低静态功耗和快速开启/关断能力实现精准的电源通断控制。
　　此外，85HFLR80S05适用于服务器主板、通信基站电源、工业控制板卡以及汽车电子中的辅助电源系统。在这些环境中，高可靠性、紧凑尺寸和良好热性能是关键设计指标，而该MOSFET正好满足这些需求。其宽泛的结温范围也使其能在高温工业环境下稳定运行。

SiR852DP-T1-GE3
　　FDS8870A