类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：650V
　　连续漏极电流（Id）：7A（@25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：28A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：1.1Ω（@Vgs=10V）
　　阈值电压（Vth）：3V ~ 4V
　　最大功耗（Pd）：125W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　输入电容（Ciss）：1100pF（@Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：280pF（@Vds=25V）
　　反向恢复时间（trr）：45ns
　　栅极电荷（Qg）：45nC（@Vgs=10V）
　　封装形式：TO-220F

F7N65-ML采用了飞兆半导体成熟的平面沟槽栅极技术，这种技术结合了传统平面工艺的高可靠性和沟槽栅极的低导通电阻优势，从而实现了优异的性能平衡。其核心特性之一是具备高达650V的漏源击穿电压，使其能够稳定工作于通用输入电压范围（90VAC~265VAC）的离线式开关电源系统中。在此类应用中，MOSFET作为主开关元件承受较高的电压应力，因此器件的电压裕量至关重要。F7N65-ML不仅满足这一要求，还通过优化的元胞密度和场板结构增强了器件在高压下的长期可靠性。
　　另一个显著特点是其较低的导通电阻Rds(on)，典型值为1.1Ω（在Vgs=10V条件下），这有助于降低导通期间的功率损耗，提高整体电源效率。尤其在中等功率等级（例如60W至150W）的应用中，这种水平的Rds(on)能够在成本与性能之间取得良好折衷。同时，该器件的栅极电荷Qg为45nC左右，属于中等偏下水平，意味着其开关速度较快且驱动电路所需能量较少，有利于减小控制器的驱动负担并提升系统开关频率。
　　F7N65-ML还表现出良好的热稳定性与抗雪崩能力。其最大结温可达150°C，并支持在高温环境下持续运行，配合适当的散热设计可实现长时间稳定工作。器件内部结构经过优化，具备一定的非钳位感性开关（UIS）耐受能力，能够在瞬态过压或电感负载关断时避免立即失效。此外，该MOSFET具有较低的输出电容和反馈电容，有助于减少开关过程中的交叠损耗和米勒效应引起的误触发风险。
　　封装方面，TO-220F为全塑体封装，带金属片连接到漏极，便于安装散热片，适用于通孔焊接工艺。该封装形式在工业界广泛使用，具备良好的机械强度和热传导性能。总体而言，F7N65-ML是一款兼顾电气性能、可靠性和成本效益的中高压功率MOSFET，适合多种主流电源拓扑结构，如反激式（Flyback）、正激式（Forward）和有源钳位等。

F7N65-ML主要应用于各类中高电压开关电源系统中，尤其是在需要高效能和高可靠性的场合表现突出。其最常见的用途是在离线式反激变换器中作为主开关管，用于笔记本电脑适配器、手机充电器、LCD电视电源模块以及小型家电电源单元。这类电源通常工作在65kHz以下的开关频率范围内，要求MOSFET具备足够的电压耐受能力和合理的导通与开关损耗平衡，而F7N65-ML恰好满足这些需求。
　　在LED照明驱动领域，特别是高亮度LED路灯或工业照明系统中，F7N65-ML可用于隔离型恒流驱动电源的初级侧开关，实现稳定的直流输出和高功率因数。其650V的额定电压足以应对整流后约400V的母线电压，并留有足够的安全裕度以应对电网波动和瞬态浪涌。
　　此外，该器件也适用于DC-DC变换器中的升压或降压拓扑，特别是在前级PFC（功率因数校正）电路中作为有源开关使用。在这种应用中，MOSFET需频繁进行高频切换，因此对器件的开关特性和热管理提出了更高要求。F7N65-ML凭借其适度的栅极电荷和良好的热传导封装，能够在连续工作状态下保持较低温升。
　　在工业控制和自动化设备中，F7N65-ML可用于电机驱动的辅助电源、继电器驱动电路或隔离电源模块中。由于其具备较强的抗干扰能力和温度适应性，可在较为恶劣的电磁环境和宽温条件下稳定运行。综上所述，F7N65-ML凭借其全面的性能指标和成熟的技术背景，已成为许多中等功率电源设计中的优选器件之一。

KIA7N65F
　　STP7NK60ZFP
　　APT7N65BLL-TRG
　　Infineon IPP65R1K1CFD