型号：82S123F
　　制造商：AMD
　　存储容量：512 x 8 位
　　封装类型：24引脚 DIP
　　工作电压：+5V 典型
　　访问时间：约 35ns（典型值）
　　编程方式：一次性可编程（OTP）
　　接口类型：并行接口
　　输入/输出电平：TTL 兼容
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　功耗：典型工作功耗约为 375mW
　　编程电压：+5V VCC，+21V VPP（用于编程）
　　引脚排列：符合标准 PROM 引脚定义，A0-A8 为地址输入，O0-O7 为数据输出

82S123F作为一款经典的双极型PROM器件，其最显著的特性在于其高速读取性能。得益于双极晶体管技术，该芯片能够在极短的时间内完成地址解码和数据输出，典型访问时间仅为35纳秒左右，远超同期基于MOS工艺的存储器器件。这一特性使其非常适合用于对时序要求极为严格的高速逻辑控制系统中，例如早期的数字信号处理设备、雷达系统和高频通信模块。其512字节（512x8）的存储结构允许用户存储小型固定程序或实现复杂的组合逻辑函数查找表，在无微处理器的小型数字系统中常被用作状态机控制核心。
　　该芯片采用TTL电平兼容设计，能够无缝接入以TTL逻辑电路为主的系统架构中，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计复杂度。其24引脚DIP封装不仅便于手工焊接和调试，也支持使用通用PROM编程器进行烧录操作。编程过程需要施加+21V的高压（VPP）到特定引脚以激活熔丝编程机制，每个存储单元通过熔断金属熔丝的方式实现数据写入，一旦编程完成则无法更改，确保了数据的安全性和不可篡改性。
　　82S123F的工作电源为标准+5V，与当时主流的数字系统供电一致，降低了电源设计难度。虽然其静态功耗相对较高（典型值约375mW），但在许多对速度敏感而对功耗不敏感的应用场景中仍被接受。此外，该器件具有良好的温度适应性，商业级工作温度范围为0°C至+70°C，满足大多数室内工业环境的需求。由于采用成熟的半导体工艺制造，82S123F在当年表现出较高的可靠性和批次一致性，是许多OEM厂商首选的固件存储方案之一。

82S123F主要应用于20世纪70年代末至90年代初的各种电子系统中，尤其在需要高速、固定逻辑或程序存储的场合发挥重要作用。一个典型应用是在工业自动化控制系统中作为地址译码器或状态机控制器，通过预编程的逻辑表实现复杂的时序控制功能。例如，在PLC（可编程逻辑控制器）或专用控制卡中，82S123F可用于生成特定的控制信号序列，驱动继电器、电机或其他执行机构。
　　在通信设备领域，该芯片常被用于协议转换器、调制解调器或电话交换系统中，存储固定的编码映射表或字符集数据。例如，在早期的终端设备中，82S123F可作为字符发生器（Character Generator），将ASCII码转换为点阵图形信号输出到显示器。此外，在计算机外围设备如打印机、磁盘控制器中，它也被用来存储微代码或设备初始化序列。
　　在军事和航空航天领域，尽管后来被更可靠的器件取代，但在某些高可靠性要求的子系统中，82S123F因其确定性的行为和抗干扰能力强而得到应用。同时，该芯片在教育和科研领域也广泛用于数字逻辑实验平台，帮助学生理解存储器工作原理和组合逻辑设计方法。如今，82S123F更多出现在复古计算项目、老式游戏机修复、工业设备维护等场景中，作为替换损坏原件的关键部件。随着原厂停产，其应用已基本局限于维修和收藏领域。

DM82S123N
　　MB82S123
　　NMC82S123N
　　SNJ82S123N