型号：82CNQ030ASM3
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压VDS：30 V
　　最大连续漏极电流ID：140 A
　　最大脉冲漏极电流IDM：480 A
　　最大栅源电压VGS：±20 V
　　导通电阻RDS(on)典型值：0.75 mΩ @ VGS = 10 V
　　导通电阻RDS(on)最大值：0.95 mΩ @ VGS = 10 V
　　栅极电荷Qg典型值：56 nC @ VGS = 10 V
　　输入电容Ciss典型值：3720 pF
　　开启延迟时间td(on)典型值：8 ns
　　关断延迟时间td(off)典型值：22 ns
　　二极管反向恢复时间trr典型值：28 ns
　　工作结温范围Tj：-55 °C 至 +175 °C
　　封装：LFPAK56 (DPAK-2L)
　　极性：N-Channel
　　功率耗散PD：320 W (TC=25°C)

82CNQ030ASM3采用了安森美先进的Trench MOSFET工艺，具备极低的导通电阻RDS(on)，在VGS = 10 V时典型值仅为0.75 mΩ，能够显著降低导通损耗，尤其适用于大电流应用场景。这种低RDS(on)特性使得器件在高负载条件下仍能保持较低的温升，从而提升系统的整体效率和可靠性。器件的高电流承载能力——连续漏极电流可达140 A，脉冲电流高达480 A，使其非常适合用于大功率DC-DC转换器、服务器电源和电动汽车辅助系统等需要高效能量传输的场合。
　　该MOSFET的栅极电荷Qg仅为56 nC（典型值），结合较低的输入电容（Ciss = 3720 pF），使其在高频开关应用中表现出色。低Qg意味着驱动电路所需的能量更少，从而降低了驱动损耗，并允许使用更小的驱动IC，进一步缩小整体电源方案的尺寸。同时，短的开关延迟时间（开启延迟8 ns，关断延迟22 ns）确保了快速的开关响应，有助于减少开关过程中的交越损耗，提升电源转换效率。
　　82CNQ030ASM3采用LFPAK56封装，这是一种无铅框、双面散热的表面贴装封装，相较于传统的TO-220或D2PAK封装，具有更优的热阻性能和更高的功率密度。通过顶部和底部同时散热，有效提升了热传导效率，使器件能够在高功率密度下长时间稳定运行。该封装还具备良好的机械强度和抗热循环能力，适用于汽车级应用中的振动和温度变化环境。
　　该器件具备优良的雪崩耐量能力，能够在瞬态过压条件下安全运行，提高了系统在异常工况下的鲁棒性。其工作结温范围宽达-55°C至+175°C，支持在极端温度环境下可靠工作，适用于工业和汽车电子等严苛应用场景。此外，集成的体二极管具有较短的反向恢复时间（trr = 28 ns），可减少反向恢复损耗，在同步整流等应用中表现优异。整体而言，82CNQ030ASM3是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，兼顾低损耗、高效率与强散热能力，是现代高密度电源设计的理想选择。

82CNQ030ASM3广泛应用于需要高效大电流开关的电力电子系统中。典型应用包括大功率DC-DC降压或升压转换器，特别是在服务器电源、通信电源和工业电源模块中，用于实现高效的电压调节。由于其低导通电阻和高电流能力，它也常用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，以及电动工具、无人机和轻型电动车的电机驱动电路中。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电机（OBC）、DC-DC转换器和车身控制模块等子系统，满足AEC-Q101认证要求（若版本支持）。此外，它还可作为高端负载开关，用于电源热插拔控制或多电源路径管理，提供快速通断和低静态功耗。在高性能计算设备如GPU和CPU供电电路中，82CNQ030ASM3可用于多相VRM（电压调节模块）设计，以实现高电流、低电压的稳定供电。其优异的热性能和紧凑封装也使其适用于空间受限但散热要求高的便携式工业设备和嵌入式系统。

NVTFS5C480NLSTFR
　　SQJQ161EP-T1_GE3
　　IRLR7843PBF