型号：82C27G-AE3-5-R
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装/外壳：SOT-23
　　极性：N沟道
　　漏源电压（VDS）：20 V
　　栅源电压（VGS）：±12 V
　　连续漏极电流（ID）：3.4 A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：12 A
　　功耗（Ptot）：1 W
　　导通电阻（RDS(on)）：27 mΩ @ VGS = 10 V, ID = 1.7 A
　　导通电阻（RDS(on)）：32 mΩ @ VGS = 4.5 V, ID = 1.7 A
　　阈值电压（VGS(th)）：0.6 V ~ 1.2 V
　　输入电容（Ciss）：320 pF @ VDS = 10 V
　　输出电容（Coss）：120 pF @ VDS = 10 V
　　反向传输电容（Crss）：40 pF @ VDS = 10 V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　栅极电荷（Qg）：5 nC @ VGS = 10 V
　　上升时间（tr）：10 ns
　　下降时间（tf）：10 ns

82C27G-AE3-5-R具有优异的电气特性和热稳定性，其核心优势在于低导通电阻与高电流承载能力的结合。该器件在VGS = 10 V时，RDS(on)仅为27 mΩ，在同类SOT-23封装N沟道MOSFET中处于领先水平，显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。这种低RDS(on)特性尤其适用于电池供电设备，如便携式消费电子产品、智能手机外设、可穿戴设备等，有助于延长电池续航时间。同时，其最大连续漏极电流可达3.4 A，短时脉冲电流可达12 A，足以应对瞬态负载变化，保障系统稳定运行。
　　该MOSFET采用了先进的沟道设计和制造工艺，确保了快速的开关响应能力。其输入电容（Ciss）为320 pF，栅极电荷（Qg）低至5 nC，这使得器件在高频开关应用中表现出色，能够有效减少开关损耗，提升DC-DC转换器或同步整流电路的工作效率。此外，其上升时间和下降时间均约为10 ns，进一步增强了高频操作下的动态性能。
　　热性能方面，82C27G-AE3-5-R的最大工作结温可达+150°C，结到环境的热阻（RθJA）约为150°C/W，配合良好的PCB布局可实现有效的散热管理。器件还具备良好的栅极氧化层耐压能力，栅源电压额定值为±12 V，避免因过压导致的栅极击穿。阈值电压范围为0.6 V至1.2 V，适合与低压逻辑信号（如3.3 V或5 V）直接驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。综合来看，该器件在小型化、高效能和易用性之间实现了良好平衡，是现代高密度电源设计的理想选择。

82C27G-AE3-5-R广泛应用于各类对空间和能效有较高要求的电子系统中。典型应用场景包括便携式电子设备中的负载开关和电源路径管理，例如在移动电话、平板电脑和蓝牙耳机中用于控制不同功能模块的供电通断，以实现节能和热管理。此外，该器件也常用于同步降压或升压转换器的低端开关，配合控制器实现高效的DC-DC电压转换，适用于工业传感器、IoT节点和嵌入式微控制器供电系统。
　　在电机驱动领域，该MOSFET可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为低边开关元件，提供快速响应和低功耗控制。由于其具备较高的脉冲电流能力，能够承受电机启动时的瞬时大电流冲击，从而提高系统可靠性。同时，该器件也可用于LED驱动电路中，作为恒流调节的开关元件，实现亮度控制和节能运行。
　　在热插拔和电源多路复用应用中，82C27G-AE3-5-R凭借其快速开启和关断能力，可有效抑制浪涌电流，保护后级电路免受损坏。其SOT-23封装便于自动化贴片生产，适用于大规模批量制造。此外，该器件还可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，尤其是在单节锂电池应用中表现优异。总之，凭借其小尺寸、高性能和高可靠性，82C27G-AE3-5-R已成为众多低电压、中等功率开关应用中的首选器件之一。

[
　　 "SI2302DDS-T1-E3",
　　 "AO3400",
　　 "DMG2302U",
　　 "FDD8858",
　　 "BSS138"
　　]