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820526811 发布时间 时间:2025/12/30 11:09:16 查看 阅读:10

820526811 是一款常见的双MOS管集成电路,主要用于锂电池保护电路中。该芯片内部集成了两个N沟道MOSFET,分别用于控制电池的充电和放电路径。820526811以其高集成度、低功耗和高可靠性,广泛应用于手持设备、数码产品以及移动电源等需要锂电池保护的场合。

参数

工作电压:2.5V ~ 8V
  最大工作电流:3A(典型值)
  导通电阻:Rds(on) = 25mΩ(典型值)
  静态电流:<3μA
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装形式:SOT23-6或DFN-6

特性

820526811芯片具备多种保护功能,能够有效防止锂电池在使用过程中出现过充电、过放电、过电流以及短路等异常情况,从而提高电池使用的安全性和稳定性。该芯片内部的双MOS结构允许其在高电流负载下保持较低的导通损耗,提升系统效率。同时,820526811的静态电流非常低,有助于延长电池续航时间。芯片还具备自动恢复功能,在故障解除后可自动恢复正常工作,无需人工干预。
  该芯片的控制逻辑设计合理,可以通过外部保护IC进行驱动,实现对充放电MOS的精准控制。此外,820526811的封装形式小巧,便于在紧凑的PCB布局中使用,适用于便携式电子设备的设计需求。

应用

820526811主要应用于锂电池保护板中,常见于智能手机、平板电脑、蓝牙耳机、移动电源、电动工具等便携式电子产品中。它通常与锂电池保护IC(如DW01、FS8205等)配合使用,共同构建完整的电池保护系统,确保电池的安全运行。

替代型号

FS8205A、DW01-P、8205A、TP4056、S8205AB

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820526811参数

  • 现有数量146现货
  • 价格1 : ¥23.61000散装
  • 系列WE-VD
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 最大 AC 电压680 V
  • 最大 DC 电压895 V
  • 压敏电压(最小)990 V
  • 压敏电压(典型)1.1 kV
  • 压敏电压(最大)1.21 kV
  • 电流 - 浪涌6.5 kA
  • 能源496J
  • 电路数1
  • 不同频率时电容360 pF @ 1 kHz
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 特性-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳圆片式 20mm