时间：2025/7/25 0:32:45
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IXFA102N15T是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高电流、高电压的功率应用，具有较低的导通电阻和高效的开关性能。该MOSFET采用TO-263封装（也称为D2PAK），适用于表面贴装技术（SMT），便于在各种高功率密度设计中使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（VDS）：150V
最大栅源电压（VGS）：±20V
最大连续漏极电流（ID）：102A
导通电阻（RDS(on)）：5.8mΩ（典型值，VGS=10V）
功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
IXFA102N15T具有多个关键特性，使其适用于高性能功率转换应用。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。其次，该器件的高电流承载能力（102A）使其适用于高功率负载的应用场景，如DC-DC转换器、电机控制和电源管理系统。此外，该MOSFET的封装形式（TO-263）提供了良好的热管理和机械稳定性，确保在高负载条件下的可靠运行。其宽泛的栅极电压范围（±20V）允许使用标准驱动器进行控制，同时具备较高的抗过载能力。最后，IXFA102N15T的工作温度范围广泛（-55°C至175°C），适用于极端环境下的工业和汽车应用。
IXFA102N15T广泛应用于需要高效能、高电流和高电压处理能力的电力电子系统中。典型应用包括但不限于：工业用开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电机驱动和控制电路、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）以及汽车电子系统（如电动车辆的功率控制系统）。此外，该器件也适用于需要快速开关和高效率的逆变器设计，如太阳能逆变器和储能系统。
SiHF102N15T, IXTK102N15T
