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820523811B 发布时间 时间:2025/8/7 19:14:35 查看 阅读:28

820523811B 是一款常见的双MOS管集成电路,通常用于电源管理、电池保护、负载开关以及电机驱动等应用中。该芯片内部集成了两个N沟道MOSFET,常用于需要高电流和低导通电阻的场合。

参数

类型:双N沟道MOSFET
  最大漏极电流:3A(单通道)
  最大漏源电压:20V
  导通电阻:约28mΩ(典型值)
  工作温度范围:-40°C至+125°C
  封装形式:SOP-8 或类似小型封装

特性

820523811B芯片具备低导通电阻的特性,这有助于减少功率损耗并提高整体效率。其双MOSFET结构允许它在需要双向控制的应用中使用,例如电动工具、电池供电设备以及小型电机驱动系统。
  此外,该器件具有较高的集成度,能够有效减少外围电路的设计复杂度,同时提高系统的稳定性和可靠性。由于其SOP-8封装体积小巧,适合用于对空间要求较高的便携式电子产品中。
  该芯片还具备良好的热稳定性和过载保护能力,可以在一定程度上防止因过热或过流导致的损坏。这使得820523811B在电池管理系统(如锂离子电池保护板)中得到了广泛应用。

应用

820523811B主要应用于电池保护电路、电动玩具、移动电源、锂电池保护板、直流电机驱动器、智能电表、电源开关控制模块以及各类低功率负载控制电路中。

替代型号

8205A、FS8205A、Si2302DS、AO3400A

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820523811B参数

  • 现有数量149现货
  • 价格1 : ¥16.85000散装
  • 系列WE-VD
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 最大 AC 电压385 V
  • 最大 DC 电压505 V
  • 压敏电压(最小)558 V
  • 压敏电压(典型)620 V
  • 压敏电压(最大)682 V
  • 电流 - 浪涌6.5 kA
  • 能源328J
  • 电路数1
  • 不同频率时电容600 pF @ 1 kHz
  • 工作温度-40°C ~ 125°C(TA)
  • 特性-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳圆片式 20mm