820523811B 是一款常见的双MOS管集成电路,通常用于电源管理、电池保护、负载开关以及电机驱动等应用中。该芯片内部集成了两个N沟道MOSFET,常用于需要高电流和低导通电阻的场合。
类型:双N沟道MOSFET
最大漏极电流:3A(单通道)
最大漏源电压:20V
导通电阻:约28mΩ(典型值)
工作温度范围:-40°C至+125°C
封装形式:SOP-8 或类似小型封装
820523811B芯片具备低导通电阻的特性,这有助于减少功率损耗并提高整体效率。其双MOSFET结构允许它在需要双向控制的应用中使用,例如电动工具、电池供电设备以及小型电机驱动系统。
此外,该器件具有较高的集成度,能够有效减少外围电路的设计复杂度,同时提高系统的稳定性和可靠性。由于其SOP-8封装体积小巧,适合用于对空间要求较高的便携式电子产品中。
该芯片还具备良好的热稳定性和过载保护能力,可以在一定程度上防止因过热或过流导致的损坏。这使得820523811B在电池管理系统(如锂离子电池保护板)中得到了广泛应用。
820523811B主要应用于电池保护电路、电动玩具、移动电源、锂电池保护板、直流电机驱动器、智能电表、电源开关控制模块以及各类低功率负载控制电路中。
8205A、FS8205A、Si2302DS、AO3400A