型号：80N70
　　封装：TO-247
　　极性：N沟道
　　漏源击穿电压（BVDSS）：700V
　　阈值电压（VGS(th)）：3.0V ~ 5.0V
　　最大漏极电流（ID）：80A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：320A
　　最大功耗（PD）：310W
　　导通电阻（RDS(on)）：≤85mΩ @ VGS=10V, ID=40A
　　栅极电荷（Qg）：约240nC @ VDS=600V, ID=80A
　　输入电容（Ciss）：约4400pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间（trr）：约45ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　栅源电压范围（VGS）：±30V

80N70的核心特性之一是其高电压耐受能力与低导通电阻的优异结合，使其在700V高压应用中仍能保持较低的导通损耗。该器件采用先进的平面或沟槽式硅基工艺制造，确保了载流子迁移率的提升和电流分布的均匀性，从而有效降低RDS(on)，提高能效。其低栅极电荷（Qg）特性显著减少了驱动电路所需的能量，使得在高频开关应用中（如SMPS、PFC电路）能够实现更快的开关速度和更低的驱动损耗。同时，输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）经过优化，有助于减小开关过程中的电压和电流重叠区域，进一步降低动态损耗。
　　另一个重要特性是其出色的热性能和长期可靠性。TO-247封装具有较大的金属背板，便于安装散热器，有效将芯片产生的热量传导至外部环境，确保在高功率密度工况下的稳定运行。器件的工作结温可达150°C，并具备良好的热循环耐久性，适合在工业环境或恶劣温度条件下长期使用。此外，80N70内置的体二极管具有较快的反向恢复特性（trr约45ns），可有效抑制反向恢复电流尖峰，减少电磁干扰（EMI）并防止因换流引起的电压振荡，从而提升系统稳定性。
　　在安全性和保护方面，80N70具备较高的栅源电压容限（±30V），避免因驱动信号波动导致栅氧层击穿。其阈值电压范围适中（3~5V），兼容标准逻辑电平驱动器和专用MOSFET驱动IC，简化了控制电路设计。此外，该器件符合RoHS环保要求，不含铅和有害物质，适用于现代绿色电子产品制造。综合来看，80N70凭借其高效率、高可靠性和良好的工艺兼容性，成为中高端功率转换系统中的理想选择。

80N70广泛应用于各类需要高电压、大电流开关能力的电力电子设备中。在开关模式电源（SMPS）领域，常用于有源功率因数校正（PFC）升压级和主DC-DC变换器拓扑，如双管正激、全桥或半桥结构，支持数百瓦至数千瓦的输出功率等级。在太阳能逆变器系统中，该MOSFET可用于直流侧斩波或并网逆变桥臂的辅助开关元件，尤其适合非隔离型拓扑中的高压直流转换环节。
　　在电机驱动应用中，80N70可作为三相逆变器中的功率开关，用于工业电机、电动工具或家用电器的变频控制，其快速开关能力和低导通损耗有助于提升驱动效率并减少发热。此外，在不间断电源（UPS）、通信电源、LED大功率驱动电源及电动汽车车载充电机（OBC）等设备中，80N70也常被用作主功率开关或同步整流器件，满足高效率和高可靠性的设计需求。
　　由于其具备较强的抗浪涌电流能力，80N70也适用于需要频繁启停或承受瞬态过载的场合，例如电焊机电源、感应加热装置和高压气体放电灯（HID）镇流器等。在这些应用中，器件不仅要承受高电压应力，还需在短时间内通过大电流，而80N70的高IDM（320A脉冲电流）能力确保了系统的安全裕度。同时，其良好的热稳定性和封装散热性能使其在密闭或通风不良的环境中仍能可靠运行，提升了整体设备的耐用性。

IRFP4668
　　STP80NF70
　　FQP80N70
　　SPW80N70