容量：36MB
　　电压：3.3V（低压设计）
　　接口类型：并行接口
　　访问时间：50ns
　　封装形式：TSOP（薄型小外形封装）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　数据宽度：x8/x16/x32可配置
　　封装尺寸：根据具体封装形式有所不同
　　封装引脚数：根据具体型号定义

80LSW3300M36X50 SRAM模块具备高速访问能力，其访问时间为50ns，适合需要快速数据存取的应用场景。模块采用低压设计（3.3V），有效降低了功耗，同时提升了能效比。
　　该模块支持宽温度范围工作（-40°C 至 +85°C），适用于严苛的工业环境，如自动化控制系统、通信设备和嵌入式系统。其TSOP封装形式不仅节省空间，还提高了模块的稳定性和可靠性。
　　模块的数据宽度支持x8/x16/x32的灵活配置，可根据系统需求进行适配，增强了兼容性和应用范围。此外，并行接口设计确保了高速数据传输的稳定性，适用于需要高吞吐量的系统架构。
　　80LSW3300M36X50 还具备优异的抗干扰能力，内部电路设计优化，减少了信号噪声和串扰的影响，从而确保数据的完整性。该模块通常用于缓存、临时数据存储以及实时处理系统中，提供快速可靠的存储支持。

80LSW3300M36X50 SRAM模块广泛应用于工业控制、通信设备、嵌入式系统、测试仪器以及高性能计算领域。在工业自动化系统中，它可作为高速缓存或临时数据存储单元，提升系统响应速度。在网络设备中，该模块可用于数据包缓冲，确保数据传输的稳定性和高效性。此外，在测试和测量仪器中，该模块支持快速数据采集和处理，满足高精度应用需求。

CY62148EAPLL-55B, IS61WV51236BLL-6T, IDT71V416S, AS7C34098A, ISSI IS64S32512A