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80CPQ150 发布时间 时间:2025/10/28 9:32:58 查看 阅读:11

80CPQ150是一种高性能的碳化硅(SiC)肖特基二极管,由Wolfspeed(原Cree)公司生产,专为高效率、高频率和高温环境下的电力电子应用而设计。该器件结合了碳化硅材料的优异物理特性与先进的封装技术,能够在极端工作条件下提供卓越的电气性能和可靠性。80CPQ150属于Wolfspeed第二代或第三代碳化硅肖特基金属-半导体混合二极管产品线,广泛应用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、不间断电源(UPS)、服务器电源以及高频DC-DC转换器等高端电力转换系统中。
  相较于传统的硅基PIN二极管,80CPQ150在反向恢复电荷(Qrr)、开关损耗、正向导通压降(Vf)等方面具有显著优势。由于其无反向恢复电流的特性,极大地减少了开关过程中的能量损耗,提升了整体系统的能效,并降低了电磁干扰(EMI),从而简化了滤波电路的设计。此外,该器件可在高达175°C的结温下稳定工作,具备出色的热稳定性,适合在紧凑型高功率密度设计中使用。
  80CPQ150采用TO-247-2L封装,具有良好的热传导性能和机械强度,便于安装于散热器上以实现高效散热。这种封装形式也确保了器件在大电流应用中的可靠连接和长期稳定性。作为一款单芯片结构的碳化硅肖特基二极管,它不依赖于复杂的制造工艺来控制载流子寿命,因此具有更长的使用寿命和更高的抗辐射能力。

参数

类型:碳化硅肖特基二极管
  最大重复峰值反向电压(VRRM):1500 V
  平均正向整流电流(IF(AV)):80 A
  正向压降(VF):典型值 1.7 V @ 80 A, 25°C
  最大浪涌电流(IFSM):1000 A @ 8.3 ms
  工作结温范围(TJ):-55 °C 至 +175 °C
  储存温度范围(TSTG):-55 °C 至 +175 °C
  热阻结至壳(RθJC):约 0.35 °C/W
  封装形式:TO-247-2L
  反向漏电流(IR):最大 200 μA @ 1500 V, 25°C;典型 5 mA @ 1500 V, 125°C
  反向恢复时间(trr):无反向恢复(理想肖特基行为)
  电容(Cj):典型值 100 pF @ 0 V

特性

80CPQ150的核心优势在于其采用碳化硅(SiC)半导体材料构建的肖特基势垒结构,这使得它在高压、大电流和高频应用场景中表现出远超传统硅二极管的性能。首先,由于其本质为多数载流子器件,不存在少数载流子存储效应,因此在关断过程中不会产生反向恢复电荷(Qrr ≈ 0),从根本上消除了反向恢复带来的开关损耗和电压尖峰问题。这一特性对于提高电源转换效率至关重要,尤其是在硬开关拓扑如PFC(功率因数校正)、LLC谐振变换器和全桥移相电路中,能够显著降低主开关器件(如MOSFET或IGBT)的应力,延长其寿命并提升系统可靠性。
  其次,尽管碳化硅肖特基二极管通常面临较高的正向压降挑战,但80CPQ150通过优化掺杂浓度、漂移区厚度及金属-半导体接触界面设计,在保持1500V耐压的同时实现了较低的导通压降(典型1.7V@80A)。这不仅减少了导通状态下的功率损耗,还改善了轻载和重载条件下的整体效率曲线。同时,该器件在高温环境下仍能维持稳定的电气参数,例如反向漏电流虽随温度上升而增加,但在125°C时仍控制在毫安级水平,远低于同规格硅基快恢复二极管的数百毫安级别,避免了热失控风险。
  再者,80CPQ150具备优异的热管理能力。其TO-247-2L封装具有低热阻(约0.35°C/W),可有效将芯片产生的热量传导至外部散热系统,支持长时间高负载运行。此外,宽禁带半导体固有的高临界击穿电场强度允许器件在更薄的漂移层下实现高耐压,从而减小了寄生电容和动态损耗,进一步提升了高频响应能力。这些综合特性使其成为下一代绿色能源和电动交通系统中不可或缺的关键元件。

应用

80CPQ150被广泛应用于各类需要高效率、高可靠性和高频率操作的电力电子系统中。在工业电源领域,常用于三相PFC电路中的升压二极管,替代传统硅快恢复二极管,大幅降低开关损耗并提升系统功率密度。在太阳能光伏逆变器中,该器件作为直流侧升压级的输出整流元件,有助于实现超过98%的转换效率,并增强系统对部分遮挡和多云天气的适应能力。在电动汽车车载充电机(OBC)和直流快充桩中,80CPQ150可用于高频率隔离式DC-DC变换器的次级整流或辅助电源模块,支持更高开关频率以缩小磁性元件体积,进而减轻设备重量。
  此外,在数据中心服务器电源(如48V转12V VRM前端)和电信整流电源中,80CPQ150凭借其零反向恢复特性,有助于满足日益严格的能效标准(如80 PLUS Titanium)。在不间断电源(UPS)系统中,特别是在双变换在线式架构中,该二极管用于逆变器输出整流和电池充放电管理电路,提升了系统的动态响应速度和可用性。航空航天与军事电源系统也因其高温耐受性和抗辐射能力而选用此类碳化硅器件。总之,凡是追求小型化、高效化、长寿命和低维护成本的现代电力转换装置,都是80CPQ150的理想应用场景。

替代型号

C4D80150D
  C4D80150A
  SKP30BH150
  BAS40-04-S08

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80CPQ150参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类肖特基(二极管与整流器)
  • 产品Schottky Rectifiers
  • 峰值反向电压150 V
  • 正向连续电流80 A
  • 最大浪涌电流1930 A
  • 配置Dual Common Cathode
  • 正向电压下降1.09 V at 80 A
  • 最大反向漏泄电流200 uA
  • 工作温度范围- 55 C to + 175 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-247AC
  • 封装Tube
  • 工厂包装数量50