型号：PHX6N50E
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id @ 25°C）：6A
　　脉冲漏极电流（Idm）：24A
　　导通电阻（Rds(on) max @ Vgs = 10V）：1.8Ω
　　阈值电压（Vgs(th)）：3~5V
　　输入电容（Ciss）：1100pF
　　输出电容（Coss）：350pF
　　反向恢复时间（trr）：45ns
　　最大功耗（Pd）：125W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

PHX6N50E具备多项关键电气与物理特性，使其成为中高功率开关应用中的优选器件。
　　首先，其500V的高漏源击穿电压确保了在高压环境中运行的安全裕度，特别适用于离线式开关电源设计，如反激、正激或半桥拓扑结构中。该电压等级允许其直接接入整流后的市电母线电压（约300–400V），无需额外的电压钳位保护即可实现稳定工作。
　　其次，该MOSFET拥有较低的导通电阻（典型值低于1.8Ω），这显著降低了导通状态下的I2R损耗，提高了电源系统的整体效率，并减少了对散热器尺寸的需求，有助于缩小产品体积。
　　再者，PHX6N50E采用了优化的栅极结构设计，具备快速开关能力，输入和输出电容较小，使得其在高频开关条件下仍能保持较低的开关损耗。配合适当的驱动电路，可实现数十kHz至数百kHz范围内的高效开关操作，满足现代开关电源对小型化和高效率的要求。
　　此外，该器件具有良好的热稳定性与长期可靠性，其最大功耗可达125W，在合理散热条件下可长时间运行于高温环境。TO-220封装提供了优良的机械强度与热传导性能，方便安装在散热片上以增强散热效果。
　　PHX6N50E还具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或感性负载关断过程中承受一定的能量冲击而不损坏，提升了系统鲁棒性。同时，其较高的dv/dt耐受能力减少了误触发的风险，避免因电压突变导致的误导通现象。
　　最后，该MOSFET的阈值电压范围适中（3–5V），兼容常见的10V或12V驱动信号，易于与各类PWM控制器接口匹配，简化了驱动电路设计。综合来看，PHX6N50E以其高耐压、低损耗、快响应和高可靠性等特点，成为工业电源、UPS、光伏逆变器等领域中不可或缺的核心功率器件。

PHX6N50E被广泛应用于多种电力电子系统中，尤其是在需要高效能、高电压切换能力的场合。
　　最常见的应用之一是开关模式电源（SMPS），包括AC-DC和DC-DC转换器。在这些系统中，PHX6N50E常作为主开关管使用，特别是在反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑中，负责将输入直流电压斩波为高频交流信号，再通过变压器进行隔离与降压/升压处理。由于其500V的耐压能力和6A的额定电流，非常适合用于输出功率在100W至300W之间的电源模块。
　　在不间断电源（UPS）系统中，PHX6N50E可用于DC-AC逆变电路或电池充电管理电路中，承担能量双向转换的任务。其快速开关特性和低导通损耗有助于提高UPS的能量转换效率，延长备用供电时间。
　　此外，在太阳能光伏逆变器中，该MOSFET可用于直流侧的最大功率点跟踪（MPPT）电路或辅助电源部分，帮助实现高效的能量采集与管理。
　　工业电机驱动系统也是其重要应用场景之一。在小功率直流电机或步进电机控制中，PHX6N50E可用作H桥电路中的开关元件，实现精确的速度与方向控制。
　　照明领域方面，PHX6N50E可用于电子镇流器或LED驱动电源中，特别是在需要高功率因数校正（PFC）的前端升压电路中表现优异。
　　其他应用还包括电焊机、感应加热设备、高压静电发生器以及各种工业自动化设备中的电源模块。凭借其坚固的设计和稳定的性能，PHX6N50E能够在恶劣电磁环境和宽温度范围内可靠运行，因此深受工程师青睐。

IXFH6N50P
　　STP6NK50Z
　　IRFPG50
　　FQP6N50C
　　2SK3562