型号：7NM90
　　制造商：STMicroelectronics
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vdss)：900V
　　漏极电流(Id) @ 25°C：7A
　　漏极电流(Id) @ 100°C：3.5A
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　导通电阻(Rds(on)) @ Vgs = 10V：1.2Ω（典型值）
　　导通电阻(Rds(on)) @ Vgs = 10V：1.5Ω（最大值）
　　阈值电压(Vgs(th))：3V ~ 5V
　　输入电容(Ciss)：1100pF @ Vds=25V
　　输出电容(Coss)：180pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间(trr)：45ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220, TO-247

7NM90功率MOSFET具备多项关键特性，使其在高压功率应用中表现出色。首先，其高达900V的漏源击穿电压使其非常适合用于离线式开关电源和AC-DC转换器，尤其是在通用输入电压范围（85VAC至265VAC）下的反激式或正激式拓扑结构中。该器件的低导通电阻（Rds(on)最大为1.5Ω）显著降低了导通损耗，从而提高了电源系统的整体效率，并减少了对散热器尺寸的需求，有助于实现更紧凑的设计。
　　其次，7NM90采用了优化的平面工艺技术，确保了良好的均匀性和可靠性，同时具备较强的雪崩耐量能力，能够在瞬态过压条件下保护自身不受损坏，提升了系统在异常工况下的鲁棒性。这一特性对于防止雷击、电网波动或负载突变引起的电压尖峰尤为重要。
　　再者，该MOSFET具有较快的开关速度，得益于较低的栅极电荷（Qg）和输入/输出电容，使得其在高频开关应用中表现优异，可有效降低开关损耗，支持更高频率的操作以减小磁性元件体积。此外，其体二极管具有较短的反向恢复时间（trr约45ns），可减少换流过程中的反向恢复电流尖峰，避免电磁干扰（EMI）问题和额外功耗。
　　热稳定性方面，7NM90可在结温高达+150°C的条件下持续运行，且热阻较低，配合合适的PCB布局与散热设计，能够满足长时间高负载工作的需求。TO-220和TO-247封装形式不仅机械强度高，而且易于安装到散热片上，增强了产品的实用性与适应性。综上所述，7NM90是一款集高耐压、低损耗、高可靠性于一体的高性能N沟道MOSFET，是中等功率开关电源设计的理想选择之一。

7NM90广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其适合工作在高压环境下的电力电子设备。其主要应用领域包括离线式反激变换器（Flyback Converter），这类拓扑常见于充电器、适配器和小型电源模块中，利用7NM90的高耐压能力和低导通电阻实现高效能量转换。此外，它也常用于有源钳位正激变换器（Active Clamp Forward Converter）和半桥谐振变换器（LLC Resonant Converter）等复杂拓扑中，作为主开关器件承担能量传递任务。
　　在工业控制领域，7NM90可用于电机驱动电路中的功率开关，特别是在单相或多相逆变器中控制交流电机的运行状态。其快速开关特性和较强的抗浪涌能力有助于提高驱动系统的动态响应和稳定性。同时，在UPS（不间断电源）和逆变电源系统中，该器件可用于DC-AC转换阶段，将直流母线电压转换为稳定的交流输出，保障关键设备的持续供电。
　　另外，7NM90也被广泛应用于电子镇流器和高强度气体放电灯（HID Lamp）驱动电路中，其高耐压特性能够承受灯启动时的高压脉冲，而良好的热稳定性则确保了长期运行的可靠性。在太阳能微逆变器或光伏汇流箱的辅助电源设计中，该MOSFET同样发挥着重要作用，支持光伏系统中的本地化电源管理。
　　除此之外，7NM90还可用于电池充电管理系统、焊接设备、感应加热装置以及各类工业电源模块中。由于其封装兼容性强，易于替换和维护，因此在多种需要高电压隔离和高效率功率切换的场景中都得到了广泛应用。无论是消费类电子产品还是工业级设备，7NM90均能提供稳定可靠的性能支持。

STW90N90, FQA7N90, 2SK3562, IRFGB50