型号：7NM65
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：650V
　　连续漏极电流（Id）：7A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：28A
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：1.0Ω（最大值，Vgs=10V）
　　阈值电压（Vth）：3.0V～4.0V
　　输入电容（Ciss）：950pF（典型值，Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：250pF（典型值）
　　反向恢复时间（trr）：30ns（典型值）
　　功率耗散（Pd）：50W（Tc=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220FP、PG-TO220-3-1

7NM65 MOSFET采用英飞凌独有的超级结（Superjunction）结构技术，显著优化了器件的“导通电阻×面积”（Rds(on) × A）乘积，从而在650V高压等级下实现了极低的导通损耗。这种结构通过交替排列P型和N型柱状区域，有效平衡了漂移区的电荷分布，使器件在高击穿电压下仍保持较小的导通电阻。这不仅提高了电源系统的转换效率，尤其在轻载和满载条件下均表现出优异的能效表现，还减少了对散热系统的设计压力。此外，该器件具备出色的开关速度，得益于较低的栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss），使得在高频PWM控制下能够减少开关过程中的能量损耗，适用于现代高频率、高功率密度的开关电源拓扑如LLC谐振变换器、有源钳位反激（Active Clamp Flyback）等。
　　7NM65还具有良好的热稳定性和长期可靠性。其内部结构经过优化，具备较高的抗雪崩能量能力（EAS），能够在瞬态过压或电感负载突变时承受一定的能量冲击而不发生永久性损坏，增强了系统的鲁棒性。同时，该器件的栅氧层设计确保了在±20V栅源电压范围内的安全操作，防止因驱动信号波动导致的栅极击穿。其TO-220FP封装具有优良的散热性能，底部绝缘设计便于安装散热片，适用于需要电气隔离的高电压应用场景。此外，7NM65通过了严格的工业级认证，符合JEDEC标准，支持自动插入和回流焊工艺，适用于大规模自动化生产。总体而言，7NM65在性能、可靠性和制造兼容性之间实现了良好平衡，是中高端电源设计中的理想选择。

7NM65广泛应用于各类中高功率开关模式电源（SMPS）中，包括但不限于通信电源、工业控制电源、服务器和数据中心电源单元（PSU）、LED驱动电源以及光伏逆变器等。在这些应用中，该器件常用于主开关管（Main Switch）或同步整流控制器的角色，尤其是在650V耐压等级的PFC（功率因数校正）升压电路中表现出色。其低Rds(on)和快速开关特性有助于提高PFC级的效率，满足能源之星（Energy Star）和80 PLUS等高能效标准的要求。此外，在LLC半桥或全桥谐振转换器中，7NM65可用于初级侧开关，配合ZVS（零电压开关）技术进一步降低开关损耗，提升整体电源效率至95%以上。由于其良好的热性能和稳定的工作特性，也适用于环境温度较高或通风条件受限的密闭设备中。在适配器、充电器（如笔记本电脑、电动工具充电器）等消费类高能效产品中，7NM65同样可作为关键功率器件使用，帮助实现小型化、轻量化和高效化的设计目标。

IPD65R1K0CFDA
　　STL6N65M5
　　FQA7N65