时间：2025/8/24 19:46:20
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AOD400L是一种高性能的N沟道增强型功率MOSFET，由Alpha and Omega Semiconductor（AOS）制造。这种MOSFET被广泛应用于电源管理和转换系统，例如DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统以及各种高电流开关应用。AOD400L采用了先进的沟槽式技术，使其在低导通电阻（Rds(on)）和高开关性能之间实现了良好的平衡。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：120A
最大漏极-源极电压（VDS）：30V
最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：约2.7mΩ（在VGS=10V时）
封装类型：PowerPAK SO-8双面散热封装
工作温度范围：-55°C至175°C
AOD400L具有低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。其2.7mΩ的Rds(on)在高电流应用中尤其有利，因为它减少了导通状态下的功率损耗和发热。
AOD400L采用PowerPAK SO-8封装，提供优异的热性能和电气性能，使其适用于高功率密度设计。这种封装还支持双面散热，有助于更好地散热管理。
该MOSFET具有高电流处理能力，额定漏极电流高达120A，适合用于高功率开关应用。此外，其高耐压特性（30V VDS）使其适用于各种中低电压电源转换系统。
AOD400L的栅极电荷（Qg）较低，有助于提高开关速度并减少开关损耗，这在高频开关应用中尤为重要。
该器件具有宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C），能够在恶劣环境条件下稳定工作。
AOD400L广泛应用于各类电源管理系统，包括同步整流DC-DC降压转换器、电池管理系统（BMS）以及电机驱动和控制电路。它也常用于服务器电源、通信设备电源、汽车电子系统以及工业自动化设备中的功率开关模块。
SiR142DP, NexFET CSD17551Q5A, IPB013N04NG, FDS4880
