型号：7N90L-TQ2-R
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：TO-252 (D-Pak)
　　包装：卷带编带（-R表示卷带）
　　漏源电压（Vds）：900V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id @ 25°C）：7A
　　脉冲漏极电流（Idm）：28A
　　导通电阻（Rds(on) @ Vgs=10V）：典型值1.1Ω，最大值1.3Ω
　　导通电阻（Rds(on) @ Vgs=5V）：不适用（因阈值电压较高，通常需10V驱动）
　　阈值电压（Vgs(th)）：典型值3.0V，范围2.0V~4.0V
　　输入电容（Ciss）：典型值1050pF
　　输出电容（Coss）：典型值140pF
　　反向传输电容（Crss）：典型值25pF
　　栅极电荷（Qg）：典型值45nC
　　开启延迟时间（td(on)）：典型值25ns
　　关断延迟时间（td(off)）：典型值65ns
　　体二极管反向恢复时间（trr）：典型值85ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C

7N90L-TQ2-R采用安森美专有的高压Trench MOSFET工艺制造，具备出色的电气性能和可靠性。其核心优势之一是高达900V的漏源击穿电压，使其能够安全地应用于全球通用输入电压范围内的离线式开关电源设计中，例如AC-DC适配器、LED驱动电源和家电控制板等场景。该器件在高温下仍能保持稳定的性能表现，得益于优化的晶圆结构和封装散热设计，即使在150°C的最大结温下也能持续工作，确保长期运行的稳定性。
　　该MOSFET的导通电阻Rds(on)在Vgs=10V时仅为1.3Ω最大值，这一低阻特性显著降低了导通损耗，提高了电源系统的整体效率。同时，其栅极电荷Qg仅为45nC左右，意味着驱动电路所需的能量较少，有助于简化驱动设计并降低驱动芯片的成本。较低的输入电容和反向传输电容也减少了开关过程中的噪声耦合，提升了EMI性能。
　　器件具备快速的开关响应能力，开启延迟时间和关断延迟时间分别仅为25ns和65ns，配合85ns的体二极管反向恢复时间，可有效减少开关损耗，尤其适合高频PWM调制应用。其坚固的栅氧层设计支持±30V的栅源电压耐受能力，增强了对电压瞬变和静电放电（ESD）的抵御力，提升了现场使用的可靠性。
　　此外，7N90L-TQ2-R符合RoHS环保标准，并通过了IEC 61215等可靠性测试认证，适用于工业、医疗和消费类多种严苛环境下的电力电子设备。其TO-252封装具有良好的热传导性能，可通过PCB敷铜进行有效散热，无需额外加装复杂散热片即可满足中等功率应用需求。

7N90L-TQ2-R主要应用于各类中高电压、中等功率的开关电源系统中。典型应用场景包括：离线式反激变换器（Flyback Converter），用于手机充电器、笔记本电脑适配器、电视和显示器电源模块；LED恒流驱动电源，特别是在高亮度LED照明系统中作为主开关管使用；光伏逆变器中的辅助电源部分；空调、洗衣机等家用电器的内部SMPS（开关模式电源）；工业控制设备中的隔离电源模块；以及电子镇流器和不间断电源（UPS）中的功率级开关元件。由于其900V的高耐压能力，该器件可在宽输入电压范围内稳定工作，适应从90VAC到265VAC的全范围交流输入，非常适合出口型电子产品。此外，在电机驱动电路中，它也可作为上桥或下桥开关用于低压直流电机的PWM调速控制。在待机电源（Standby Power Supply）设计中，7N90L-TQ2-R因其低静态功耗和高效率特性，被广泛用于待机模式下的主控电源供电。其表面贴装封装形式有利于自动化生产和回流焊工艺，适用于现代高密度PCB布局，是中小功率电源设计中理想的高压MOSFET选择。

STP7NK90ZFP
　　FQP9N90
　　IRFGB40
　　KSA7N90AL