时间：2025/5/24 17:52:46
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CDR34BP472BFUS7185 是一种高性能的功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路中。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低功耗并提升系统效率。
该型号通常用于工业和消费电子领域中的各种应用场合，包括但不限于适配器、充电器以及DC-DC转换器等场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(V_DS)：70V
最大栅源电压(V_GS)：±20V
最大漏极电流(I_D)：185A
导通电阻(R_DS(on))：4.7mΩ（在V_GS=10V条件下）
总功耗(P_TOT)：225W
结温范围(T_J)：-55℃至+175℃
CDR34BP472BFUS7185 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高能效。
2. 快速的开关速度，适用于高频操作环境。
3. 高浪涌电流能力，确保在异常情况下仍能稳定工作。
4. 强大的热性能设计，支持更高的功率密度。
5. 符合RoHS标准，环保且可靠。
6. 小型封装，节省PCB空间。
该器件适合多种应用领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率级开关。
2. 同步整流电路的核心组件。
3. DC-DC转换器的主开关或续流二极管替代方案。
4. 电动工具及家电产品的电机驱动控制。
5. 电池保护和负载切换功能实现。
6. 太阳能逆变器以及其他新能源相关设备的构建。
IRFZ44N
STP160N10F5
FDP15U20A
IXTH120N10T2
