时间：2025/12/27 8:57:28
阅读：12
7N80-LC是一款由Power Integration（PI）公司生产的高性能高压MOSFET，主要用于开关电源（SMPS）系统中。该器件属于PI的Super Junction MOSFET产品线，专为高效率、高功率密度的电源应用而设计。其名称中的“7N”表示该系列的导通电阻与电压等级组合，“80”代表其漏源击穿电压为800V，适合用于全球通用输入电压范围下的离线式电源转换。后缀“LC”通常指封装形式或特定性能优化版本，可能对应于TO-220或类似通孔封装，并具备较低的开关损耗和良好的热稳定性。该器件广泛应用于AC-DC转换器、适配器、LED驱动电源、工业电源以及待机电源等场合。7N80-LC在设计上优化了动态性能，能够在高频工作条件下保持较低的导通和开关损耗，从而提升整体能效并减少散热需求。此外，该MOSFET还具备优良的雪崩能量耐受能力和抗di/dt能力，增强了系统在异常工况下的可靠性。
型号：7N80-LC
漏源电压（Vds）：800V
连续漏极电流（Id @ 25°C）：7A
脉冲漏极电流（Idm）：28A
导通电阻（Rds(on) @ Vgs=10V）：1.0Ω 最大
栅极阈值电压（Vgs(th)）：3.0V ~ 4.5V
栅源电压（Vgs）：±20V
最大功耗（Pd）：50W
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220AC 或 TO-220FP
输入电容（Ciss）：典型值 950pF @ Vds=25V, f=1MHz
输出电容（Coss）：典型值 180pF
反向恢复时间（trr）：快速体二极管，典型值约 30ns
雪崩能量额定值（EAS）：有
符合标准：RoHS合规，无卤素选项可选
7N80-LC采用了先进的超级结（Super Junction）技术，显著降低了传统高压MOSFET在高电压阻断能力与低导通电阻之间的权衡矛盾。这种结构通过交替排列P型和N型柱状区域，实现更高的掺杂浓度而不降低击穿电压，从而大幅降低Rds(on)，提高器件的电流处理能力与效率。该特性使其在800V电压等级下仍能保持1.0Ω的最大导通电阻，相较于前代平面工艺MOSFET具有明显优势。
在动态性能方面，7N80-LC优化了寄生电容和栅极电荷（Qg），总栅极电荷典型值约为60nC，使得在高频开关应用中驱动损耗更低，适用于65kHz以上的开关频率场景。其体二极管具备较快的反向恢复特性，减少了反向恢复电荷（Qrr）和恢复尖峰电压，有助于降低电磁干扰（EMI）并提升轻载效率。
热性能方面，该器件采用高导热封装材料，结合TO-220的外露金属背板，能够有效将热量传导至散热器，确保长时间高负载运行下的结温稳定。同时，其最大结温可达150°C，并具备过温保护设计兼容性，便于系统级热管理。
可靠性方面，7N80-LC经过严格的质量控制流程，具备高抗雪崩能力，能够承受多次非重复性雪崩事件，适用于启停频繁或负载突变的应用环境。此外，器件还具备良好的dv/dt和di/dt抗扰度，减少误触发风险，增强系统鲁棒性。
该MOSFET还针对现代绿色能源标准进行了优化，满足Energy Star、CoC Tier 2等能效规范要求，支持无Y电容设计或准谐振（QR）控制器配合使用，进一步提升待机效率和轻载性能。
7N80-LC广泛应用于多种中高功率开关电源拓扑结构中，尤其适合反激式（Flyback）、正激式（Forward）和LLC谐振转换器等离线式AC-DC电源设计。其800V高耐压特性使其能够直接连接整流后的母线电压，在宽输入电压范围（如90VAC~265VAC）下稳定工作，无需额外的钳位或保护电路，简化了前端设计。
在消费类电子产品中，该器件常用于笔记本电脑适配器、LCD电视电源、游戏机电源模块等，提供高效且紧凑的电源解决方案。在工业领域，它被用于PLC电源、工业显示器、通信基站电源单元等对可靠性和长期稳定性要求较高的设备中。
此外，7N80-LC也适用于LED照明驱动电源，特别是在高功率户外LED灯具和商业照明系统中，其高效率和良好热性能有助于延长灯具寿命并降低维护成本。在家电应用中，如空调、洗衣机和微波炉的辅助电源或主控电源模块中也有广泛应用。
由于其优异的开关特性和兼容性，7N80-LC还可与多种PWM控制器（如PI的TinySwitch、PeakSwitch系列，或外部电流模式控制器）协同工作，构建高度集成且成本优化的电源系统。其TO-220封装便于手工焊接和维修，适合中小批量生产和自动化组装场景。
[
"STP8NK80Z",
"STP7NC80T",
"FQP8N80C",
"2SK3569",
"SIHP80N80D"
]
